Veeco Instruments Inc． 與 ALLOS Semiconductors GmbH 8日宣布取得又一階段的合作成果，雙方共同努力，致力于為microLED生產(chǎn)應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費類電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)在Veeco Propel? MOCVD反應(yīng)器上的可復(fù)制性。

“要將microLED技術(shù)轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)，僅依據(jù)單項指標展示主導(dǎo)價值是不夠的。我們必須確保每種外延片的整套規(guī)格都具有出色的可重復(fù)性和收益，”Veeco Compound Semiconductor業(yè)務(wù)部門高級副總裁兼總經(jīng)理Peo Hansson博士表示?！按舜纬晒β?lián)合再次肯定Veeco的優(yōu)秀MOCVD專業(yè)知識與ALLOS硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)強強結(jié)合，能夠為客戶提供經(jīng)驗證的、可靠的創(chuàng)新方案，加速推進microLED應(yīng)用?！?/p>

作為標準，傳統(tǒng)LED技術(shù)通過分類和分級實現(xiàn)波長一致性。但鑒于microLED尺寸小、數(shù)量多而無法分類和分級，因此，外延沉積的一致性變得更為重要。要使大批量生產(chǎn)microLED顯示器的承諾變成現(xiàn)實，最重要的成功要素在于實現(xiàn)極佳的發(fā)射波長一致性，這樣就不需要進行單獨的microLED芯片測試和分選。根據(jù)業(yè)內(nèi)目標要求，外延片分級應(yīng)介于＋／－1 nm（下限）和 ＋／－4 nm（上限）之間，取決于應(yīng)用和傳質(zhì)方法。通過合作項目，Veeco和ALLOS通過標準偏差僅為0．85 nm的晶片進一步改善至關(guān)重要的波長一致性，這在生產(chǎn)系統(tǒng)方面屬于行業(yè)首例。

“Veeco和ALLOS對晶片之間的可復(fù)制性進行了驗證，所有晶片的平均波長標準偏差為1．21 nm，且峰值波長介于＋／－0．5 nm范圍內(nèi)。由此，我們朝著＋／－1 nm外延片分級的目標又邁進一大步，”ALLOS首席執(zhí)行官Burkhard Slischka表示?！拔覀兊募夹g(shù)已經(jīng)可以在直徑200 mm的晶片上使用，這樣就能使用低成本、高收益的硅系列進行 microLED芯片生產(chǎn)。此外，我們對于300 mm晶片應(yīng)用已有清晰的發(fā)展藍圖?！?/p>

作為下一個重大技術(shù)轉(zhuǎn)變主題，microLED備受顯示器技術(shù)創(chuàng)新者的關(guān)注。據(jù)調(diào)研公司Yole Développement，到2025年，市售microLED顯示器數(shù)量可能達到3．3億臺。邊長小于100μm的microLED技術(shù)被視作開發(fā)功耗更低的旗艦顯示器的重要驅(qū)動因素，相關(guān)技術(shù)承諾助長了這一樂觀情緒。但是，材料成本高、收益低以及microLED傳質(zhì)技術(shù)產(chǎn)量一直阻礙著此類顯示器的開發(fā)。此次技術(shù)聯(lián)合有效地解決了這些挑戰(zhàn)，Veeco和ALLOS將繼續(xù)與客戶合作，旨在進一步改善硅基氮化鎵外延片和microLED傳質(zhì)技術(shù)。

2018年11月12日，兩家公司將攜手在日本金澤市召開的國際氮化物半導(dǎo)體工作研討會（IWN）上詳細展示他們的突破成就。