富士通電子推出可在125℃高溫下穩(wěn)定運行的最新4Mbit FRAM
上海，2020年7月24日 – 富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量達到FRAM產(chǎn)品最高水平，運作溫度最高可達125℃。目前可為客戶提供評測版樣品。
這款全新FRAM是非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，在125℃高溫環(huán)境下可以達到10兆次讀/寫次數(shù)，工作電流低，是工業(yè)機器人和高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等汽車應用的最佳選擇。
FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，并已量產(chǎn)20多年，近年來廣泛用于可穿戴設備、工業(yè)機器人和無人機。
自去年發(fā)布以來，2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業(yè)設備中獲得廣泛應用，而MB85RS4MTY將其容量提高了一倍，達到4M bit，滿足更高容量的需求，配有SPI接口，工作電壓為1.8V至3.6V。由于這款FRAM工作電流低，即使在125℃高溫下，最大工作電流僅為4mA(運作頻率50MHz)，最大掉電模式電流為30μA，因此有助于降低環(huán)境敏感應用的功耗。
這款全新FRAM在-40℃至+ 125℃溫度范圍內(nèi)可以達到10兆次讀/寫次數(shù)，適合某些需要實時數(shù)據(jù)記錄的應用。例如，每0.03毫秒重寫一次數(shù)據(jù)，同一地址連續(xù)記錄數(shù)據(jù)可達10年之久。
這款FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標準8-pin SOP封裝，可輕松取代現(xiàn)有類似引腳的EEPROM。此外，還提供8-pin DFN(無引線雙側(cè)扁平)封裝。
圖1：MB85RS4MTY 8-pin DFN(頂部?底部)
圖2：FRAM應用實例
富士通電子將繼續(xù)提供內(nèi)存產(chǎn)品和解決方案，滿足市場和客戶的未來需求。
關(guān)鍵規(guī)格
? 組件型號：MB85RS4MT
? 容量(組態(tài))：4 Mbit(512K x 8位)
? 接口：SPI(Serial Peripheral Interface)
? 運作頻率：最高50 MHz
? 運作電壓：1.8V - 3.6V
? 運作溫度范圍：-40°C - +125°C
? 讀/寫耐久性：10兆次(1013次)
? 封裝規(guī)格：8-pin DFN，8-pin SOP
詞匯與備注
鐵電隨機存取內(nèi)存(FRAM)
FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內(nèi)存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點。富士通自1999年即開始生產(chǎn)FRAM，亦稱為FeRAM。
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