據(jù)市場消息顯示，英特爾已與晶圓代工龍頭臺(tái)積電達(dá)成協(xié)議，預(yù)定臺(tái)積電明年18萬片6nm芯片，進(jìn)行量產(chǎn)處理器或繪圖芯片。

需要注意的是，此前有消息表示，Intel會(huì)在2021年大規(guī)模使用臺(tái)積電的6nm工藝，2022年Intel還會(huì)進(jìn)一步使用臺(tái)積電的3nm工藝。

結(jié)合此前的新聞，英特爾在2020年第二季度財(cái)務(wù)報(bào)告中向投資者證實(shí)，其7nm產(chǎn)品發(fā)布日期推遲了大約半年，量產(chǎn)日期被推遲了近一年，在此同時(shí)，英特爾CEO司睿博坦言，某些生產(chǎn)將交給第三方晶圓廠代工作為“退路”。

（圖片來源：工商時(shí)報(bào)）

據(jù)工商時(shí)報(bào)信息顯示，以先進(jìn)制程芯片的集積度（MTr/mm2）來看，英特爾10納米芯片集積度與臺(tái)積電7/6納米相當(dāng)，英特爾7納米集積度約介于臺(tái)積電5納米及3納米之間。另據(jù)設(shè)備業(yè)者消息，英特爾10納米的電晶體集積度（MTr/mm2）略優(yōu)于臺(tái)積電7納米，與臺(tái)積電6納米相當(dāng)。

所以，臺(tái)積電今年開始量產(chǎn)5納米，且預(yù)期2022年下半年開始量產(chǎn)3納米，英特爾屆時(shí)可能由邏輯制程技術(shù)領(lǐng)先全球，變成與臺(tái)積電并駕齊驅(qū)。

6nm制程是臺(tái)積電的7nm制程的改良版，下半年開始將部份7nm產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為6nm，年底將進(jìn)入量產(chǎn)階段。

從工藝上來說，GPU制造相對CPU更加簡單，且臺(tái)積電GPU制造經(jīng)驗(yàn)豐富，因此有媒體猜測英特爾的訂單首當(dāng)其沖將用在獨(dú)立顯卡上。根據(jù)之前消息，英特爾的Xe架構(gòu)獨(dú)顯DG1將使用自家10nm工藝制造，在今年底上市，預(yù)計(jì)性能與GTX950相當(dāng)。

之前爆料信息顯示，DG2將使用臺(tái)積電7nm工藝，目前來看將會(huì)是臺(tái)積電改良版的6nm工藝。

消息中還提到，AMD將7、7+nm芯片的訂單增加到20萬片。由于華為禁令方面，臺(tái)積電7nm訂單出現(xiàn)空缺，而得益于英特爾和AMD的訂單，臺(tái)積電2021年上半年先進(jìn)制程產(chǎn)能將維持滿載。