數(shù)多晶圓代工廠中，坐落于臺(tái)積電憑借一己之力拿下全球60%的晶圓產(chǎn)量，坐穩(wěn)晶圓代工廠的頭一把交椅。除了臺(tái)積電，來自大陸第一的芯片巨頭，中芯國(guó)際這顆新星也在冉冉升起。

8月27日，中芯國(guó)際發(fā)布2020年上半年財(cái)報(bào)，公司營(yíng)收創(chuàng)下歷史新高，達(dá)到131.61億，同比增長(zhǎng)29.4%，其中歸屬上市公司股東的凈利潤(rùn)為13.86億元，相較于2019年同期暴增329.8%。

短短半年凈賺近14億元，中芯國(guó)際的吸金能力雖不及臺(tái)積電，但也是業(yè)內(nèi)的佼佼者。至于芯國(guó)際上半年?duì)I收增長(zhǎng)的主要原因，則是晶圓出貨數(shù)量增加所導(dǎo)致，據(jù)悉，中芯國(guó)際上半年銷售晶圓的數(shù)量達(dá)280萬片，同比增長(zhǎng)19.7%。

在成熟應(yīng)用平臺(tái)的需求，一如既往強(qiáng)勁的同時(shí)，中芯國(guó)際還在持續(xù)推進(jìn)研發(fā)進(jìn)度，其中最值得一提的當(dāng)屬7nm工藝節(jié)點(diǎn)。因?yàn)榉N種原因，中芯國(guó)際目前仍停留在14nm工藝節(jié)點(diǎn)，對(duì)比已經(jīng)量產(chǎn)5nm工藝的臺(tái)積電，差距不是一星半點(diǎn)。

雖然中芯國(guó)際在7nm工藝的量產(chǎn)上遲遲未取得突破，但對(duì)于中芯國(guó)際來說7nm芯片技術(shù)其實(shí)并不遙遠(yuǎn)。不過，7nm工藝在中國(guó)芯片被稱為N+1，相較于14nm工藝芯片，功耗降低57%，邏輯編輯縮小63%，SOC面積減少55%。

7nm工藝相比14nm工藝更先進(jìn)，性能功耗有更好的表現(xiàn)，這是眾所周知的事情，但需要注意的是，無論臺(tái)積電還是三星的7nm工藝芯片，都需要EUV光刻機(jī)，而中芯國(guó)際的N+1技術(shù)，卻并不需要EUV光刻機(jī)。

中芯國(guó)際可利用193nm波長(zhǎng)的光刻機(jī)，輔以浸潤(rùn)式技術(shù)，等效于134nm的波長(zhǎng)，最終實(shí)現(xiàn)7nm的精度。EUV光刻機(jī)目前只有荷蘭ASML公司能夠生產(chǎn)，不僅價(jià)格昂貴還產(chǎn)量有限，受美方制裁影響，中芯國(guó)際2018年購買的光刻機(jī)至今仍未到貨。

倘若中芯國(guó)際的7nm工藝，不需要ASML得EUV光刻機(jī)即可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這無疑讓國(guó)產(chǎn)芯片看到曙光。

值得注意的是，在8月有消息人士稱，中芯國(guó)際將在2021年開始為低功率器件生產(chǎn)7nm芯片。

除了N+1技術(shù)外，中芯國(guó)際還有N+2技術(shù)。雖然N+2技術(shù)具體的性能參數(shù)還未曝光，但業(yè)內(nèi)人士頻頻猜測(cè)，N+2技術(shù)正是5nm工藝技術(shù)，預(yù)計(jì)在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。