傳感器技術是現(xiàn)代不可缺少的技術類型之一，對于傳感器技術，大家有必要有所了解。想要從基本內容開始了解傳感器技術，可翻閱小編往期文章。本文中，小編將對FSI圖像傳感器技術予以介紹，并對電力傳感器需要突破的4大技術進行分析。如果你對傳感器技術具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、FSI圖像傳感器技術

傳統(tǒng)上，圖像傳感器按照制造流程而設計。因此，對最終器件而言，光是從前面的金屬控制線之間進入，然后再聚焦在光電檢測器上。一直以來，對于較大的像素，F(xiàn)SI都十分有效，因為像素堆疊(pixel stack)高度與像素面積之比很大，致使像素的孔徑也很大。日益縮小的像素需要一系列像素技術創(chuàng)新來解決前面照度技術在材料和制造方面的局限性。比如，F(xiàn)SI已經采取眾多創(chuàng)新技術和工藝改進，如形狀優(yōu)化微透鏡、色彩優(yōu)化濾光、凹式像素陣列、光導管和防反射涂層等技術，以優(yōu)化FSI像素的光路徑。

進入FSI像素的光最初被帶有防反射涂層的微透鏡(microlen)聚焦，該微透鏡也作為孔徑使用。在手機中，微透鏡的設計必需能夠滿足鏡頭質量和更大主光角(chief ray angle)要求。光通過微透鏡，匯聚在針對微光響應和信噪比(SNR)優(yōu)化而設計、具有最佳密度和厚度的彩色濾光器上，確保被完全分離為三原色分量。微透鏡的曲率和厚度必須精心選擇，以使色彩濾波器傳輸的光盡可能多地為光導管所接收。

雖然光導管是設計用于聚集從微透鏡發(fā)出的光，并使其以窄光束形式通過互連金屬和隔離堆疊，但它仍然能夠有效縮短光堆疊高度(見圖1中心的示意圖)，使平行光束被導入光電二極管區(qū)域(圖2)。

光導管必須匯聚由孔徑確定的光錐和主光角(CRA)范圍內的任何光線。更先進的半導體制造工藝采用更小的特征尺寸，并從鋁工藝轉向銅工藝，能夠提供更窄的金屬寬度，實現(xiàn)更寬的光導管。結合這些改進，像素陣列可以是凹式，把像素陣列之上的堆疊高度降至僅兩個金屬層的厚度。

一旦光導管把光子傳送到硅片表面，光電二極管開始工作。鑒于硅片的光吸收特性，光電二極管的區(qū)域應該延伸至幾個微米的深度。在設計光電檢測器時，可把耗盡深度(depletion depth)延伸入硅晶圓，使光子收集與保存的空間分辨率最大化(見圖1最右邊的示意圖)。其關鍵在于盡量增大相鄰光電二極管之間的隔離，并形成一個深結(deep junction)，以消除較大波長光子產生的、沒有在光電二極管中被吸收的任何光電荷。

二、電力傳感器技術突破點

眼下，我國電力傳感器需要突破的核心技術，主要集中在以下四個方面：

1.突破電力傳感材料和器件技術。

研制交直流電氣量傳感器，滿足直流量測、電能質量等需求;培育低成本、高可靠、可與一次設備融合設計的電流、局放、氣體及振動等光學傳感器件;加快聲表面波、紅外及熱電堆等非接觸型溫度傳感器的研發(fā)。

2.研發(fā)低功耗、寬窄融合無線傳感網協(xié)議和產品，以適應電力感知需求，兼顧超低功耗、帶寬等指標;建立基于一致性通信協(xié)議與評測方法的無線傳感網絡互聯(lián)互通及評測體系，解決不同供應商產品與協(xié)議的兼容性以及各項性能評估問題。

3.針對電力感知應用具有快速響應的特征，形成智能分析技術平臺，實現(xiàn)“傳感+就地分析”?；凇捌脚_+應用”模式，將感知與測量、控制深度結合，解決電力智能傳感器技術和應用的碎片化問題。

4.掌握傳感器取能和集成封測技術。

研究環(huán)境微能收集技術的應用和優(yōu)化，研發(fā)與電力傳感器融合集成的取能器件。針對電力系統(tǒng)強電磁干擾等工況特點進行集成設計，研制集傳感、通信、計算、安全及取能等功能于一體的智能傳感器，形成系列化產品，并建立耐候性、可靠性試驗驗證體系。

以上便是此次小編帶來的“傳感器技術”相關內容，通過本文，希望大家對FSI圖像傳感器技術以及電力傳感器需要突破的點具備一定的了解。如果你喜歡本文，不妨持續(xù)關注我們網站哦，小編將于后期帶來更多精彩內容。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!