2012年9月19日，中國(guó)上海訊—LED領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司日前宣布推出其最新低基面位錯(cuò)（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯(cuò)材料的外延漂移層的總基面位錯(cuò)密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基面位錯(cuò)容量小于0.1cm-2。這一新型低基面位錯(cuò)材料的推出進(jìn)一步體現(xiàn)了科銳長(zhǎng)期以來(lái)對(duì)碳化硅材料技術(shù)的不斷投入和創(chuàng)新。

　　科銳功率器件與射頻（RF）首席技術(shù)官JohnPalmour表示：“碳化硅雙極型（Bipolar）器件的發(fā)展長(zhǎng)期以來(lái)受制于基面位錯(cuò)引起的正向電壓衰減。該款低基面位錯(cuò)材料能夠用于諸如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和可關(guān)斷晶閘管（GTO）等高壓雙極型器件，并且增加這些器件的穩(wěn)定性。這一最新成果有助于消除遲滯高功率器件商業(yè)化的阻礙。”

　　碳化硅是一種高性能的半導(dǎo)體材料，被廣泛地應(yīng)用在照明、功率器件和通訊器件產(chǎn)品的生產(chǎn)中，包括發(fā)光二級(jí)管（LED）、功率轉(zhuǎn)換器件以及無(wú)線通訊用射頻功率晶體管等。

　　關(guān)于科銳（CREE）

　　科銳成立于1987年，是美國(guó)上市公司（1993年，納斯達(dá)克：CREE），為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者?？其JLED照明產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等方面獨(dú)一無(wú)二的材料技術(shù)與先進(jìn)的白光技術(shù)，擁有1，300多項(xiàng)美國(guó)專利、2，900多項(xiàng)國(guó)際專利和近390項(xiàng)中國(guó)專利（以上包括已授權(quán)和在審專利），使得科銳LED產(chǎn)品始終處于世界領(lǐng)先水平?？其J照明級(jí)大功率LED，具有光效高、色點(diǎn)穩(wěn)、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)?？其J在向客戶提供高質(zhì)量、高可靠發(fā)光器件產(chǎn)品的同時(shí)也向客戶提供成套的LED照明解決方案。科銳碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)器件（MOSFETSwitch）的導(dǎo)通電阻小、溫度系數(shù)穩(wěn)、漏電流低、開(kāi)關(guān)時(shí)間短，以及科銳碳化硅肖特基功率二極管（SchottkyPowerDiode）零反向恢復(fù)電流等特性，使得科銳碳化硅功率器件特別適用于高頻、高效、高功率密度、高可靠性需求的電力電子系統(tǒng)。