2012年9月19日，中國上海訊—LED領域的市場領先者科銳公司日前宣布推出其最新低基面位錯（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1cm-2。這一新型低基面位錯材料的推出進一步體現(xiàn)了科銳長期以來對碳化硅材料技術的不斷投入和創(chuàng)新。

　　科銳功率器件與射頻（RF）首席技術官JohnPalmour表示：“碳化硅雙極型（Bipolar）器件的發(fā)展長期以來受制于基面位錯引起的正向電壓衰減。該款低基面位錯材料能夠用于諸如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和可關斷晶閘管（GTO）等高壓雙極型器件，并且增加這些器件的穩(wěn)定性。這一最新成果有助于消除遲滯高功率器件商業(yè)化的阻礙。”

　　碳化硅是一種高性能的半導體材料，被廣泛地應用在照明、功率器件和通訊器件產品的生產中，包括發(fā)光二級管（LED）、功率轉換器件以及無線通訊用射頻功率晶體管等。

　　關于科銳（CREE）

　　科銳成立于1987年，是美國上市公司（1993年，納斯達克：CREE），為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領先者?？其JLED照明產品的優(yōu)勢體現(xiàn)在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等方面獨一無二的材料技術與先進的白光技術，擁有1，300多項美國專利、2，900多項國際專利和近390項中國專利（以上包括已授權和在審專利），使得科銳LED產品始終處于世界領先水平。科銳照明級大功率LED，具有光效高、色點穩(wěn)、壽命長等優(yōu)點。科銳在向客戶提供高質量、高可靠發(fā)光器件產品的同時也向客戶提供成套的LED照明解決方案?？其J碳化硅金屬氧化物半導體場效應管開關器件（MOSFETSwitch）的導通電阻小、溫度系數穩(wěn)、漏電流低、開關時間短，以及科銳碳化硅肖特基功率二極管（SchottkyPowerDiode）零反向恢復電流等特性，使得科銳碳化硅功率器件特別適用于高頻、高效、高功率密度、高可靠性需求的電力電子系統(tǒng)。