2020 年 9 月 9 日，日本東京訊 - 全球領先的半導體解決方案及內(nèi)存接口產(chǎn)品供應商瑞薩電子集團今日宣布，面向數(shù)據(jù)中心、服務器和高性能工作站應用推出全新高速、低功耗的DDR5數(shù)據(jù)緩沖器。

在過去幾年中，實時分析、機器學習、HPC、AI及其它對內(nèi)存和帶寬要求極高的應用飛速發(fā)展，推動了服務器內(nèi)存帶寬需求的爆炸性增長，而減載雙列直插內(nèi)存模組(LRDIMM)已成為推動這些應用發(fā)展的內(nèi)存技術的基石。瑞薩全新兼容JEDEC的DDR5數(shù)據(jù)緩沖器5DB0148可為LRDIMM顯著提升速度并降低延遲?；谌鹚_組件的第一代DDR5 LRDIMM，與運行在3200MT/s的DDR4 LRDIMM相比，帶寬增加35%以上。

瑞薩電子數(shù)據(jù)中心事業(yè)部副總裁Rami Sethi表示：“作為業(yè)界完整的DDR5解決方案供應商，我們與客戶及生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴緊密合作，將豐富的內(nèi)存解決方案產(chǎn)品投入量產(chǎn)。瑞薩DDR5數(shù)據(jù)緩沖器對于LRDIMM、其他類型的高密度模組和多樣化存儲等高性能DRAM解決方案至關重要，使得新一代高性能計算應用成為可能并更加完善。”

瑞薩DDR5數(shù)據(jù)緩沖器通過降低容性負載、數(shù)據(jù)對準和信號恢復技術的組合，使重載通道的系統(tǒng)眼圖最大化。這使具有大量內(nèi)存通道和插槽以及復雜路由拓撲的服務器主板即使在高密度內(nèi)存滿載的情況下，也能夠以最高速度運行。此外，DDR5模組定義的改進允許更低的電源電壓(DDR5中為1.1V，DDR4中則為1.2V)、DIMM模組內(nèi)電壓調(diào)節(jié)以及通過使用SPD集線器和現(xiàn)代控制總線通信(如I3C)來實現(xiàn)先進的控制平面架構。

自雙列直插式內(nèi)存模組問世以來，瑞薩作為業(yè)界資深的內(nèi)存接口產(chǎn)品供應商，始終致力于完整芯片組解決方案的研發(fā)。作為整體產(chǎn)品家族的一部分，經(jīng)過優(yōu)化的全新瑞薩DDR5數(shù)據(jù)緩沖器5DB0148，可與LRDIMM存儲器模組上的其它瑞薩DDR5組件無縫對接，包括電源管理芯片P8900、寄存時鐘驅動器5RCD0148、SPD集線器SPD5118以及溫度傳感器TS5111，確保部署瑞薩芯片組解決方案的內(nèi)存供應商獲得完整的互操作性和穩(wěn)定的質(zhì)量。

供貨信息

DDR5數(shù)據(jù)緩沖器5DB0148可向認證客戶提供樣片。