如何使用 Silent Switcher 穩(wěn)壓器實(shí)現(xiàn)低噪聲吶，磁場(chǎng)抵消，雖然不可能完全消除熱回路區(qū)域，但是我們可以將熱回路分成極性相反的兩個(gè)回路。這可以有效地形成局部磁場(chǎng)，這些磁場(chǎng)在距 IC 任意位置都可以有效地相互抵消。這就是 Silent Switcher 穩(wěn)壓器背后的概念。

圖1. Silent Switcher 穩(wěn)壓器中的磁場(chǎng)抵消

倒裝芯片取代鍵合線

改善 EMI 的另一種方法是縮短熱回路中的導(dǎo)線。這可以通過(guò)放棄將芯片連接至封裝引腳的傳統(tǒng)鍵合線方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。在封裝中倒裝硅芯片，并添加銅柱。通過(guò)縮短內(nèi)部 FET 到封裝引腳和輸入電容的距離，可以進(jìn)一步縮小熱回路的范圍。

圖 2. LT8610 鍵合線的拆解示意圖

圖 3. 帶有銅柱的倒裝芯片

圖 4. 典型的 Silent Switcher 應(yīng)用原理圖及其在 PCB 上的外觀

圖 4 顯示了使用 Silent Switcher 穩(wěn)壓器的一個(gè)典型應(yīng)用，可通過(guò)兩個(gè)輸入電壓引腳上的對(duì)稱輸入電容來(lái)識(shí)別。布局在該方案中非常重要，因?yàn)? Silent Switcher 技術(shù)要求盡可能將這些輸入電容對(duì)稱布置，以便發(fā)揮場(chǎng)相互抵消的優(yōu)勢(shì)。否則，將喪失 SilentSwitcher 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，問(wèn)題是如何確保在設(shè)計(jì)及整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中的正確布局。答案就是 Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器。

Silent Switcher 2

Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器能夠進(jìn)一步減少 EMI。通過(guò)將電容 VIN 電容、 INTVCC 和升壓電容)集成到 LQFN 封裝中，消除了 EMI 性能對(duì) PCB 布局的敏感性，從而可以放置到盡可能靠近引腳的位置。所有熱回路和接地層都在內(nèi)部，從而將 EMI 降至最低，并使解決方案的總占板面積更小。

Silent Switcher 2 技術(shù)還可以改善熱性能。LQFN 倒裝芯片封裝上的多個(gè)大尺寸接地裸露焊盤(pán)有助于封裝通過(guò) PCB 散熱。消除高電阻鍵合線還可以提高轉(zhuǎn)換效率。在進(jìn)行 EMI 性能測(cè)試時(shí)， LT8640S 能滿足 CISPR 25 Class 5 峰值限制要求，并且具有較大的裕量。