臺(tái)積電已經(jīng)全面投入生產(chǎn)5納米單芯片平臺(tái)和處理器，而臺(tái)積電的3nm工藝正在按計(jì)劃推進(jìn)。并且如消息人士所言，明年將開(kāi)始使用3 nm工藝技術(shù)試制單芯片系統(tǒng)。

雖然3nm工藝還未投產(chǎn)，但外媒已在關(guān)注臺(tái)積電這一先進(jìn)工藝的產(chǎn)能。

外媒在報(bào)道中表示，臺(tái)積電3nm工藝準(zhǔn)備了4波產(chǎn)能，其中首波產(chǎn)能中的大部分，將留給他們多年的大客戶蘋(píng)果。

而在最新的報(bào)道中，外媒也提到的了臺(tái)積電3nm工藝的后三波產(chǎn)能，外媒表示，這三波產(chǎn)能將被高通、英特爾、賽靈思、英偉達(dá)、AMD等廠商預(yù)訂。

外媒此前也曾有提及臺(tái)積電3nm工藝的產(chǎn)能，在大規(guī)模投產(chǎn)之后，臺(tái)積電設(shè)定的產(chǎn)能是每月5.5萬(wàn)片晶圓，隨后逐步提升，在2023年提高到每月10萬(wàn)片晶圓。

在最近兩個(gè)季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上，臺(tái)積電CEO魏哲家都曾有談到3nm工藝，他透露同5nm工藝相比，3nm工藝將使芯片的晶體管密度提升70%，速度提升10%-15%，能效提升25%-30%。

臺(tái)積電均未透露3nm工藝是否會(huì)有第二代，他們的7nm工藝有兩代，今年投產(chǎn)的5nm工藝，也將研發(fā)第二代。