聯(lián)電今日發(fā)布公告，美國北加州聯(lián)邦地方法院于北京時間今日核準聯(lián)電與美國司法部和解協(xié)議。

美國司法部于2018年11月，以聯(lián)電及若干員工違反聯(lián)邦營業(yè)秘密保護法為由，對聯(lián)電司及若干員工提起刑事訴訟。

依和解協(xié)議，聯(lián)電承認侵害一項營業(yè)秘密，同意支付美國政府罰金6,000萬美元，并在三年自主管理的緩刑期間內(nèi)與司法部合作，該金額對聯(lián)電財務業(yè)務無重大影響。

聯(lián)電表示是，2018年11月美國司法部起訴聯(lián)華電子違反聯(lián)邦營業(yè)秘密保護法案件，聯(lián)電已與司法部達成和解，和解協(xié)議內(nèi)容今日經(jīng)北加州聯(lián)邦地方法院判決確定。

在和解協(xié)議中，司法部同意撤銷對聯(lián)電原來的指控，包括共謀實施經(jīng)濟間諜活動、共謀竊取多項Micron (以下簡稱美光) 商業(yè)秘密、和專利有關的指控、以及可能從4億到87.5億美元的損害賠償及罰金等。聯(lián)電承認侵害一項商業(yè)秘密，同意支付美國政府6千萬美元的罰金，并在三年自主管理的緩刑期間內(nèi)與司法部合作。

2016年5月，聯(lián)電經(jīng)由經(jīng)濟部投審會核準，與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱晉華)簽署了合作協(xié)議。依據(jù)該協(xié)議，聯(lián)電與晉華共同開發(fā)兩代動態(tài)隨機存儲器 (DRAM)制程。協(xié)議中所開發(fā)的DRAM制程并非最新技術，而是與2012年已用于量產(chǎn)技術相似的舊技術。

聯(lián)電為了DRAM合作案公開招募工程師，不允許任何員工攜帶前公司數(shù)據(jù)資料到聯(lián)電，且針對自身與他人營業(yè)秘密已有多項保護與防免的政策與措施，然而兩位參與DRAM合作案的臺灣美光前員工，卻違反與聯(lián)電簽訂的雇傭合約與聲明書，攜帶前公司資訊進入聯(lián)電并于工作中參考。

當聯(lián)電知悉上述情事時，立即采取必要措施以確認開發(fā)的制程技術不包含任何未經(jīng)授權的資訊。合作協(xié)議中所提及的第一代DRAM制程技術在2018年9月依協(xié)議移轉(zhuǎn)給晉華。聯(lián)電從無意圖、也未移轉(zhuǎn)任何未經(jīng)授權的資訊給晉華。

然而，依據(jù)美國商業(yè)秘密保護法，即使員工在公司高層不知情的情況下違反公司政策，公司對于員工行為仍須負法律責任。因此，聯(lián)電在和解協(xié)議中承認并接受因員工觸法所造成的責任。

聯(lián)華電子董事長洪嘉聰表示：聯(lián)電作為引領中國臺灣半導體業(yè)發(fā)展的公司之一，持續(xù)研發(fā)半導體及其他技術已四十年，在全球半導體供應鏈中扮演著舉足輕重的角色。聯(lián)電超過三分之一的營收來自美國，與美國客戶及供應商都有長久的業(yè)務關系。最近，聯(lián)電集團更與美國公司合作，生產(chǎn)對抗新冠肺炎所需之呼吸機中的半導體芯片。

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