人類社會的進步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產品的更新?lián)Q代離不開我們的設計者的努力，其實很多人并不會去了解電子產品的組成，比如650VCoolMOS?CFD7。

在工業(yè)應用SMPS的設計上，最新的技術趨勢會將高效率、高功率密度及總線電壓上升的需求作整體考慮，也因此觸發(fā)了對650V擊穿電壓功率器件的需求。英飛凌科技股份有限公司(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)旗下650VCoolMOS?CFD7產品系列即可滿足上述需求。此器件適用于軟切換應用的諧振拓撲，例如通信電源、服務器、太陽能和非車載的電動車充電。

對于常規(guī)VDMOS 器件結構， Rdson 與BV 這一對矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI 參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI 參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson 就大了。

新款650V器件擴展了聲譽卓越的CoolMOSCFD7系列的電壓范圍，且為CoolMOSCFD2的后繼產品。新款650V產品可搭配LLC和零電壓切換相移全橋拓撲，較前幾代產品能提供多項優(yōu)勢。本產品系列擊穿電壓提升50V，搭配整合高速本體二極管技術及更出色的切換效能，非常適合用于當代設計。極低的反向恢復電荷加上優(yōu)異的熱性能，也添加了更多優(yōu)勢。

Rdson直接決定著MOS 單體的損耗大小。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和，這就是常規(guī)VDMOS的局限性。

開關損耗與RDS(on)過熱相依性皆大幅降低，此產品系列具備非常優(yōu)異的硬式整流耐用度。由于閘極電荷(Qg)改善，加上快速的開關性能，650VCoolMOSCFD7系列可提高整個負載范圍的效率。在主要的SMPS應用中，相較于競爭產品，這些MOSFET提供絕佳的輕載效率，滿載效率也有所提升。此外，同級最低RDS(on)也能讓客戶能以極具競爭力的價格，提升SMPS的功率密度。

對于COOLMOS，通過設置一個深入EPI 的的P 區(qū)，大大提高了BV，同時對Rdson 上不產生影響。對于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N 型EPI 與body區(qū)界面的PN 結，對于一個PN 結，耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內的電場大小、耗盡區(qū)擴展的寬度的面積。

本文只能帶領大家對650VCoolMOS?CFD7有了初步的了解，對大家入門會有一定的幫助，同時需要不斷總結，這樣才能提高專業(yè)技能，也歡迎大家來討論文章的一些知識點。