隨著社會的快速發(fā)展，我們的CoolMOS? CFD7A系列也在快速發(fā)展，那么你知道CoolMOS? CFD7A系列的詳細資料解析嗎?接下來讓小編帶領大家來詳細地了解有關的知識。

為滿足電動汽車市場的需求，英飛凌科技股份公司(FSE： IFX / OTCQX： IFNNY)推出全新產(chǎn)品系列：CoolMOS? CFD7A系列。這些硅基高性能產(chǎn)品可用于車載充電器系統(tǒng)的PFC和DC-DC級，以及專為電動汽車應用優(yōu)化的高低壓DC-DC轉換器。

基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。

憑借在汽車領域的多年從業(yè)經(jīng)驗，英飛凌將遠超AEC Q101標準的最高品質與出色的技術知識相結合，推出CoolMOS? CFD7A系列。

平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS(on)值。

CoolMOS? CFD7A完全兼容最高475 V DC的系統(tǒng)電壓。按照開爾文源極，可達到更高的效率水平，最高效率達到98.4%。憑借其固有的快速體二極管和采用TO和SMD封裝的豐富的產(chǎn)品系列，CFD7A器件非常適合用于PFC和DC-DC級。該產(chǎn)品系列支持以較低柵極損耗達到更高開關頻率，從而實現(xiàn)更高功率密度，確保設計上更緊湊。此外，這種新型CoolMOS技術平臺經(jīng)過量身定制，旨在滿足惡劣的汽車應用環(huán)境的需求，尤其是在宇宙輻射和設計魯棒性方面。宇宙輻射問題從開發(fā)過程一開始就得以應對 ，并得到了實驗結果的證明。

對于低壓MOSFET，三個分量是相似的。但隨著額定電壓增加，外延層需要更厚和更輕摻雜，以阻斷高壓。額定電壓每增加一倍，維持相同的RDS(on)所需的面積就增加為原來的五倍以上。對于額定電壓為600V的MOSFET，超過95%的電阻來自外延層。

其豐富的封裝組合方便設計，并可帶來其他優(yōu)勢。英飛凌650 V CoolMOS? CFD7A技術結合D2PAK 7引腳封裝使用時，客戶不僅受益于效率提升，而且能獲得出色的熱性能和更長的爬電距離。CoolMOS? CFD7A產(chǎn)品系列是在高度自動化的300 mm生產(chǎn)線上生產(chǎn)的，這有助于在滿足不斷增長的市場需求的同時，實現(xiàn)批量生產(chǎn)的零缺陷目標。

以上就是CoolMOS? CFD7A系列的有關知識的詳細解析，需要大家不斷在實際中積累經(jīng)驗，這樣才能設計出更好的產(chǎn)品，為我們的社會更好地發(fā)展。