本月中旬，在日本東京舉辦了ITF論壇上，與ASML(阿斯麥)合作研發(fā)光刻機的比利時半導體研究機構IMEC公布了3nm及以下制程的在微縮層面技術細節(jié)。

從IMEC公布的細節(jié)中可以看出，目前而言，ASML對于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規(guī)劃。

據(jù)稱在當前臺積電、三星的7nm、5nm制造中已經引入了NA=0.33的EUV曝光設備，2nm之后需要更高分辨率的曝光設備，也就是NA=0.55。好在ASML已經完成了0.55NA曝光設備的基本設計(即NXE：5000系列)，預計在2022年實現(xiàn)商業(yè)化。

報告中還指出，，1nm時代的光刻機體積將比現(xiàn)有產品增大很多。這其中主要是因為光學器件增大導致的，另外，潔凈室指標也達到了天花板。

21IC家注意到，作為EUV光刻機的全球唯一供應商，阿斯麥目前在售的兩款極紫外光刻機分別是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，3600D計劃明年年中出貨，生產效率將提升18%。