在這篇文章中，小編將對(duì)MPS MPQ4433低靜態(tài)電流同步降壓變換器的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。

一、MPQ4433同步降壓變換器概述

MPQ4433是一款內(nèi)部集成了上下管功率 MOSFET 的頻率可調(diào)(350kHz至2.5MHz)降壓開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器。它采用電流控制模式，可以提供高達(dá)3A高效輸出電流，具有快速環(huán)路響應(yīng)。其3.3V 至 36V的 寬工作輸入電壓范圍使其適用于汽車(chē)輸入環(huán)境中的各種降壓應(yīng)用。

MPQ4433因其極低的靜態(tài)電流非常適合電池供電應(yīng)用。它 采用AAM(高級(jí)異步調(diào)制)模式，通過(guò)在輕載條件下降低開(kāi)關(guān)頻率，減少開(kāi)關(guān)和柵極驅(qū)動(dòng)損耗，來(lái)實(shí)現(xiàn)高效工作。

其標(biāo)準(zhǔn)特性還包括軟啟動(dòng)(SS)、外部時(shí)鐘同步、使能(EN)控制 以及電源正常(PG)指示功能。冷車(chē)啟動(dòng)時(shí)提供高占空比和低壓差模式。該芯片還提供帶谷值電流檢測(cè)的過(guò)流保護(hù)(OCP)，以防止電感電流過(guò)沖。打嗝模式的短路保護(hù)大大降低了短路狀態(tài)下的平均電流。其過(guò)溫關(guān)斷保護(hù)提供了高可靠性和高容錯(cuò)能力。

二、MPQ4433同步降壓變換器詳述

1. 過(guò)電流保護(hù)(OCP)和hiccup

MPQ4433具有逐周期峰值電流限制保護(hù)功能，具有谷值電流檢測(cè)和打ic模式。

功率MOSFET電流通過(guò)電流檢測(cè)MOSFET進(jìn)行精確檢測(cè)。然后將電流饋入高速電流比較器以進(jìn)行電流模式控制。

在HS-FET導(dǎo)通狀態(tài)期間，如果感測(cè)到的電流超過(guò)COMP高鉗位電壓設(shè)置的峰值電流極限值，則HS-FET立即關(guān)閉。然后，LS-FET導(dǎo)通以釋放能量，并且電感器電流減小。除非電感器的谷值電流低于某個(gè)電流閾值(谷值電流限制)，否則HS-FET仍將保持關(guān)斷，即使內(nèi)部時(shí)鐘脈沖為高電平也是如此。

如果在內(nèi)部時(shí)鐘脈沖為高電平時(shí)電感器電流未降至谷值電流限制以下，則HS-FET會(huì)丟失時(shí)鐘，并且開(kāi)關(guān)頻率將降至標(biāo)稱值的一半。峰值和谷值電流限制均阻止電感電流運(yùn)行

在過(guò)載或短路情況下遠(yuǎn)離。

當(dāng)輸出短路接地時(shí)，導(dǎo)致輸出電壓降至其標(biāo)稱輸出的55%以下，同時(shí)峰值電流限制被踢，該器件將認(rèn)為這是輸出完全短路并立即觸發(fā)打ic模式，以周期性地重啟器件。

在hiccup模式下，MPQ4433禁用其輸出功率級(jí)，并緩慢使軟啟動(dòng)電容器放電。當(dāng)軟啟動(dòng)電容器完全放電時(shí)，MPQ4433會(huì)以完全軟啟動(dòng)的方式重啟。如果軟啟動(dòng)結(jié)束后仍然存在短路狀態(tài)，則設(shè)備會(huì)重復(fù)執(zhí)行此操作，直到故障消除，然后輸出恢復(fù)到穩(wěn)壓水平為止。此保護(hù)模式可大大降低平均短路電流，從而減輕了散熱和保護(hù)調(diào)節(jié)器。

2. 浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)程序和自舉充電

一個(gè)0.1μF至1μF的外部自舉電容器為浮動(dòng)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器供電。 浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器具有自己的UVLO保護(hù)，具有2.5V的上升閾值和200mV的滯后電壓。當(dāng)LS-FET導(dǎo)通時(shí)，自舉電容器電壓通過(guò)PMOS傳輸晶體管從VCC充電至?5V。

在高占空比操作或睡眠模式條件下，自舉充電可用的時(shí)間段較短，因此自舉電容器可能無(wú)法充分充電。 如果外部電路沒(méi)有足夠的電壓或時(shí)間給自舉電容器充電，則可以使用額外的外部電路來(lái)確保自舉電壓處于正常工作區(qū)域。

3. BST刷新

為了改善壓降，只要BST到SW的電壓大于2.5V，MPQ4433就可以在接近100%的占空比下工作。當(dāng)從BST到SW的電壓下降到2.5V以下時(shí)，將使用UVLO電路關(guān)閉HS-FET，這將迫使LS-FET導(dǎo)通以刷新BST電容器上的電荷。

由于來(lái)自BST電容器的電源電流很低，因此與刷新電容器相比，HS-FET可以保持導(dǎo)通的開(kāi)關(guān)周期更多，從而使開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的有效占空比較高。 穩(wěn)壓器壓降期間的有效占空比主要受HS-FET，LS-FET兩端的壓降，電感器電阻和印刷電路板電阻的影響。

以上就是小編這次想要和大家分享的內(nèi)容，希望大家對(duì)本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類(lèi)別的文章，可以在網(wǎng)頁(yè)頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。