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[導讀]Hynix 海力士芯片生產商,源于韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現代內存,2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第三大DRAM制造商,也在整個半導體公司中占第九位。2019年9月5日,SK海力士設在中國無錫的半導體工廠已經完全使用中國生產的氟化氫取代了日本產品。

Hynix 海力士芯片生產商,源于韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現代內存,2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第三大DRAM制造商,也在整個半導體公司中占第九位。2019年9月5日,SK海力士設在中國無錫的半導體工廠已經完全使用中國生產的氟化氫取代了日本產品。

海力士為原來的現代內存,2001年更名為海力士。2012年更名SK hynix。海力士半導體在1983年以現代電子產業(yè)有限公司成立,在1996年正式在韓國上市,1999年收購LG半導體,2001年將公司名稱改為(株)海力士半導體,從現代集團分離出來。2004年10月將系統IC業(yè)務出售給花旗集團,成為專業(yè)的存儲器制造商。2012年2月,韓國第三大財閥SK集團宣布收購海力士21.05%的股份從而入主這家內存大廠。

2019年9月5日,據韓國《中央日報》報道,在日本政府限制向韓國出口氟化氫、光刻膠、含氟聚酰亞胺等尖端半導體材料后,SK海力士設在中國無錫的半導體工廠已經完全使用中國生產的氟化氫取代了日本產品。

3月25,據國外媒體報道,SK海力士是全球重要的存儲芯片制造商,他們在去年10月份同英特爾達成了協議,將以90億美元收購英特爾大部分的NAND閃存及存儲業(yè)務,收購之后就將超過日本的Kioxia,成為僅次于三星的全球第二大NAND閃存制造商,并會縮小與三星的差距。

全球第二大內存芯片制造商SK海力士表示,數據中心作為幾乎所有在線服務的基礎設施,其數量將在未來四年增加一倍,成為半導體需求下一次大幅飆升的主因。

SK海力士 CEO 李世熙(Lee Seok-hee)周日在一個行業(yè)論壇中表示,在5G網絡、人工智能和自動駕駛汽車等新技術的刺激下,數據和帶寬消耗將呈指數級增長;到2025年,超大規(guī)模數據中心的數量將翻一番,達到1060個,為社交媒體、在線游戲、智能農業(yè)和互聯工廠等各個領域提供基礎設施和分布系統。

疫情之下,半導體的重要性得到前所未有的凸顯。首先是家用電器的需求涌起熱潮,隨后各個細分市場的反彈速度超過預期,汽車芯片的銷量也隨之增加。

在報道中,韓國媒體表示,研發(fā)10nm以下工藝的DRAM,要求SK海力士等半導體廠商,克服光刻技術方面的挑戰(zhàn)。在NAND方面,SK海力士已經研發(fā)出了176層堆疊的3D NAND。

除了通過收購擴大規(guī)模、獲得知識產權及研發(fā)人員,SK海力士也在致力于研發(fā)更先進的DRAM和NAND產品。

韓國媒體的報道顯示,在2021年IEEE(電氣電子工程師學會)國際可靠性物理研討會上發(fā)表演講時,SK海力士CEO李錫熙(Lee Seok-Hee)就表示,在未來十年,他們將致力于克服材料、結構和可靠性方面的挑戰(zhàn),開發(fā)10nm以下工藝的DRAM和600堆疊層的NAND。

目前,海力士在DRAM存儲器供應上僅次于三星電子,為使NAND業(yè)務不斷增長,已豪擲90億美元收購英特爾的存儲部門。李錫熙表示,收購英特爾的閃存業(yè)務將讓公司的收入結構更加平衡,目前內存業(yè)務占比72%,閃存業(yè)務收入占比24%

收購英特爾的閃存業(yè)務后,韓國存儲器巨頭SK海力士預計其閃存收入將在五年內達到收購前的三倍。11月4日,SK海力士(660.KS)首席執(zhí)行官李錫熙(Seok-Hee Lee)在其財報溝通會上做出上述表示?!笆召徍?,我們會盡力成為最好的存儲器玩家,而不僅僅是內存領域的領袖”,李錫熙說。他表示,公司將在未來三年著力于閃存業(yè)務的自我可持續(xù)能力。

兩周前,英特爾宣布把存儲業(yè)務以90億美元的價格出售給SK海力士,包括英特爾的NAND(非易失性存儲)固態(tài)硬盤業(yè)務、NAND組件和晶圓業(yè)務,以及位于中國大連的NAND閃存生產基地。雙方預計,交易將在2025年徹底完結。

上述收購完成后,SK海力士在閃存市場的市占率將達到兩成以上,排在龍頭三星之后。此外,海力士計劃五年內從荷蘭供應商ASML處購買4.75萬億韓元的極紫外光刻機。EUV光刻技術將幫助公司開發(fā)更先進的芯片制造方法。

按照李錫熙的預測,先是CPU和內存之間的通道數增加, 使得接近內存處理器速度增加,然后是內存處理速度增加,最終,內存開始承擔部分計算任務,和CPU整合到一顆芯片中。由于SK海力士不生產CPU,那么到底是誰取代誰呢?李錫熙話鋒一轉,回應稱需要的是跨行業(yè)合作。

此外,SK海力士還對核心業(yè)務DRAM和NAND芯片做了單獨描摹,稱正在積極使用EUV光刻技術,并客服材料、結構、可靠性方面的諸多挑戰(zhàn),在未來10年內大規(guī)模量產10nm級DRAM(1a nm、1b nm、1c nm……)、600層的3D閃存等。對此,大家怎么看呢?



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