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[導(dǎo)讀]全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)與光電解決方案Foundry廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,對XS018 180nm傳感器工藝進(jìn)行改進(jìn),擴(kuò)大了其應(yīng)用范圍。

中國北京,2021年3月26日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)與光電解決方案Foundry廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,對XS018 180nm傳感器工藝進(jìn)行改進(jìn),擴(kuò)大了其應(yīng)用范圍。得益于此次技術(shù)改進(jìn),公司現(xiàn)已能夠提供光電二極管專用工藝核心模塊。此前,XS018工藝主要面向多像素CMOS圖像傳感器的制造,而這一新模塊的推出則專門用于光電二極管的制造。

X-FAB增強(qiáng)工藝改進(jìn)顯著提升光電二極管響應(yīng)速度

透過該模塊,X-FAB現(xiàn)在可以為客戶帶來六種不同的光電二極管供選擇,覆蓋了從紫外線(UV)到近紅外(NIR)的波長;該系列光電二極管的不同工作參數(shù)意味著它們可以滿足客戶的各種應(yīng)用需求。同時(shí),X-FAB定于2021年4月15日(星期四)舉辦免費(fèi)網(wǎng)絡(luò)研討會(huì),來詳細(xì)介紹增強(qiáng)型XS018工藝;本次研討會(huì)共舉辦兩場,其中一場面向亞洲和歐洲觀眾,另一場面向美洲觀眾。

新型X-FAB光電二極管能夠提供同類最佳的UV靈敏度,在UVA波段達(dá)到40%的量子效率(QE),在UVB波段達(dá)到50-60%的QE,在UVC波段達(dá)到60%的QE。此外,在NIR波段的性能也得到了顯著提高。在850nm波長時(shí),光電二極管的QE比基于原XH018工藝的傳統(tǒng)器件高出17%;而在905nm波長時(shí)的QE增加5%。憑借約90%的QE,其人眼響應(yīng)方案選項(xiàng)非常適用于環(huán)境光感測應(yīng)用。

新工藝的一個(gè)特點(diǎn)是可以通過指定金屬孔徑的大小規(guī)定光電二極管的響應(yīng)度。光電二極管的輸出電流因此可在全電流和無電流之間縮放,以便補(bǔ)償濾波造成的任何差異。這進(jìn)而簡化了光電二極管陣列的配套放大電路。其它增強(qiáng)功能包括:與基于早期XH018器件相比,填充因子提高10%;透過這種方式,可以創(chuàng)建針對較低光照水平做出響應(yīng)的器件,或可以減小芯片尺寸以節(jié)省空間。

“通過持續(xù)的投資,X-FAB已經(jīng)打造了強(qiáng)大的光電制造實(shí)力——全球所生產(chǎn)的手機(jī)中有超過20%采用了我們制造的環(huán)境光傳感器,便是一個(gè)很好的例證?!盭-FAB產(chǎn)品營銷副總裁Luigi Di-Capua表示,“得益于在光電二極管產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)展,我們現(xiàn)在能夠更好地滿足客戶對近距感測、光譜分析,和光學(xué)測距/三角測量解決方案的需求?!?

以上六款光電二極管現(xiàn)可以通過“my X-FAB”客戶門戶提供。如需進(jìn)一步的咨詢,請聯(lián)系X-FAB銷售人員,他們將為您提供更多信息。

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