STM32L0芯片F(xiàn)LASH編程示例及提醒

時間：2021-04-02 15:12:24

關(guān)鍵字： STM32L0 芯片 Flash 編程

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[導讀]本文就STM32L053芯片的FLASH編程做個簡單演示并做些提醒，以供有需要的人參考。

來源 | 茶花MCU

這里就STM32L053芯片的FLASH編程做個簡單演示并做些提醒，以供有需要的人參考。一般來講，FLASH編程主要包括擦除、代碼編程、Option字修改操作，關(guān)于Option編程下面不做介紹。
STM32L0芯片的擦除除了支持全片擦除外，再就是支持頁擦除，每頁的大小為128Bytes，即32個字。編程可以按字或按半頁【64Bytes】編程。

單頁擦除、單字編程以及半頁編程的時間都是一樣的，大概3.2ms左右，這點在芯片數(shù)據(jù)手冊上也明確出來了。

這里提醒兩點：第一點，在做擦除或編程時，要注意地址對齊的問題，頁擦除時地址要128字節(jié)對齊，字編程注意4字節(jié)對齊，半頁編程時注意64字節(jié)對齊；還有一點就是做半頁編程時，半頁編程的執(zhí)行代碼要放到RAM里進行，這點手冊也強調(diào)了。

下面演示字編程、頁編程、頁擦除的操作。

這里我先以字編程模式寫5個字，然后以半頁編程模式對5個半頁進行FLASH編程，并記錄二者所花的時間，看看字編程時間跟半頁編程的是否一致。

另外，在完成5個半頁編程之后，又進行了頁擦除操作，擦除剛才已編程的5個半頁中的1頁，即最后應只剩下3個半頁的內(nèi)容【注：對于STM32L0系列芯片，內(nèi)部FLASH被擦除后內(nèi)容為全0】。

下面代碼截圖是基于STM32Cube庫來組織的，主要涉及到字編程、半頁編程、頁擦除三個操作，對應著綠色下劃線的3個庫函數(shù)。

其中，半頁編程的執(zhí)行代碼需配置到RAM里去運行。

另外，Period1和Period2分別來存放寫5個字和5個半頁的編程時間，并放在指定的FLASH位置。

編譯運行后我們可以看到如下結(jié)果：

上面截圖是經(jīng)過運行后芯片內(nèi)部的部分FLASH空間的內(nèi)容。5個紅色方框圍住的數(shù)據(jù)乃5個字編程后的結(jié)果，藍色方框內(nèi)的數(shù)據(jù)乃5次半頁編程后的結(jié)果，但最終只看到3個半頁的編程內(nèi)容，那是因為后面兩個半頁的內(nèi)容經(jīng)頁擦除操作后而消失了。

用來統(tǒng)計編程時間的定時器的計數(shù)頻率為1MHz，顯然Period1和Period2基本是相等的，將它們再除以5后所得編程時間都是3.3ms的樣子。顯而易見，進行批量代碼編程時采用半頁編程更高效。

前面說了做半頁編程時其執(zhí)行代碼需放到RAM運行，該代碼在STM32cube庫的這個文件stm32l0xx_hal_flash_ramfunc.c里面。實現(xiàn)該操作對于不同的IDE在處理上稍有差異。這里基于ARM MDK進行簡單配置，劃分點RAM出來給它用。