日前，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片。

核心指標(biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管）為333.33，幾乎是臺積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高。

換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi)，就能容納500億顆晶體管。同時，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當(dāng)前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗。

實(shí)際上，IBM此前也是率先造出7nm（2015年）和5nm（2017年）芯片的廠商，在電壓等指標(biāo)的定義上很早就拿下主導(dǎo)權(quán)。

回到此次的2nm上，采用的是GAA（環(huán)繞柵極晶體管）技術(shù)，三層。IBM介紹，這是第一次使用底介電隔離通道，它可以實(shí)現(xiàn)12 nm的柵長，其內(nèi)部間隔是第二代干法設(shè)計(jì)，有助于納米片的開發(fā)。這也是第一次使用EUV曝光FEOL部分過程。

需要注意的是，IBM并沒有自己的晶圓廠，2014年其制造工廠賣給了格芯，但兩者簽署了10年合作協(xié)議，另外，IBM也和三星、Intel保持合作。

關(guān)于GAA晶體管技術(shù)，三星3nm、Intel 5nm以及臺積電2nm均將首次采用。