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[導讀]今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰PS MP5507E電源管理芯片的有關(guān)報道。

今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰PS MP5507E電源管理芯片的有關(guān)報道,通過閱讀這篇文章,大家可以對它具備清晰的認識,主要內(nèi)容如下。

MP5507E 是一款集成式電源管理 IC,可為固態(tài)硬盤和硬盤驅(qū)動器應用提供備用電源功能。MP5507E 集成了可編程輸入限流開關(guān)管、能量存儲和備份功能,可提供高效率緊湊的系統(tǒng)解決方案。

MP5507E 采用 MPS 取得的能量存儲和釋放管理技術(shù)專利,可最大程度地減少所需的存儲部件、系統(tǒng)解決方案尺寸和成本。

MP5507E 電源管理芯片在正常條件下將輸入電壓升到更高的存儲電壓,并在輸入中斷的情況下,將能量釋放到系統(tǒng)中。

具有 DVDT 控制功能的內(nèi)部輸入限流模塊可防止系統(tǒng)上電期間的浪涌電流,并在備份期間提供反向電流阻斷功能。

系統(tǒng)電壓上電變化斜率可進行編程。存儲電壓和釋放電壓均可針對不同的系統(tǒng)應用進行編程。MP5507E 電源管理芯片最大限度地減少了現(xiàn)有標準外部元器件的使用,采用 QFN-16(2.5mmx3.2mm)封裝。

MP5507E為典型的固態(tài)驅(qū)動器應用提供了一種非常緊湊且高效的電源備份解決方案。 MPS獲得專利的無損能量存儲和釋放管理電路使用雙向降壓/升壓轉(zhuǎn)換器來實現(xiàn)最佳的能量傳輸并提供經(jīng)濟高效的能量存儲解決方案。

系統(tǒng)上電時,MP5507E電源管理芯片的內(nèi)置升壓轉(zhuǎn)換器將大容量存儲電容器充電至編程電壓。 如果發(fā)生輸入電源中斷,MP5507E指示VB總線電源故障,斷開輸入開關(guān),并通過內(nèi)置的降壓轉(zhuǎn)換器將能量從存儲電容器傳輸?shù)絍B,并在系統(tǒng)運行時將總線電壓保持在穩(wěn)定電壓消耗能量進行數(shù)據(jù)備份。 降壓轉(zhuǎn)換器可以100%占空比工作,以完全耗盡存儲的能量。根據(jù)不同的電源備用時間和來自不同應用的存儲組件,MP5507E可以提供具有可編程存儲電壓設置的緊湊型解決方案。

VIN啟動時,VB總線電壓從0充電至VIN。 VB的上升斜率由DVDT電容控制。此功能可防止輸入浪涌電流并為下游系統(tǒng)提供保護。

EHCH用于啟用和禁用存儲充電和釋放電路。 存儲充電電路有兩種模式:預充電模式(使用電流源將STRG電壓從0V充電至VB電壓)和升壓模式(充電STRG電壓以設置電壓)。 預充電模式使用接近恒定的電流源(約130mA)將STRG電壓充電至VB電壓。 當STRG電壓接近VB,并且VB電壓高于某個閾值(PGB升高)時,啟動升壓模式。

如果在VIN升至UVLO閾值之前ENCH已經(jīng)很高,則當VIN高于UVLO閾值(通常為2.5V)時,存儲充電電路會自動開始線性充電,當存儲電壓充電至接近VB時,切換到升壓切換模式,并且PGB升高。 如果在VB之后ENCH升高,則DVDT過去并且PGB升高,則開始預充電,然后進行升壓切換。

因為釋放模式是在FBB電壓低于0.79V時觸發(fā)的(盡管升壓模式和釋放模式之間有23mV的遲滯),所以VB電壓可能會拉回低電平并意外進入釋放模式。為避免這種情況,如果系統(tǒng)I / O可用于控制ENCH,則在VB穩(wěn)定后啟用ENCH。

存儲電壓充電后,內(nèi)部升壓轉(zhuǎn)換器會自動將其調(diào)節(jié)到穩(wěn)定電壓。 MP5507E電源管理芯片使用突發(fā)模式以最小化轉(zhuǎn)換器的功率損耗。 當存儲電壓降至設定電壓以下時,將啟動突發(fā)模式并為存儲電容器充電。在突發(fā)期間,電流限制和低側(cè)MOSFET(LS-FET)控制開關(guān)。 當LS-FET導通時,電感器電流會增加,直到達到限流點(約500mA)為止。達到電流限制后,LS-FET將在設置的最小關(guān)閉時間內(nèi)關(guān)閉。在此最小關(guān)斷時間結(jié)束時,如果反饋電壓保持低于0.79V內(nèi)部基準電壓,則LS-FET將再次導通。否則,MP5507E會等到電壓下降到閾值以下,然后再打開LS-FET。在升壓模式下,HS-FET關(guān)閉,并且HS-FET的體二極管傳導電流。

以上就是小編這次想要和大家分享的內(nèi)容,希望大家對本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章,可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應的頻道哦。

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