中國，2021年5月18日——意法半導體發(fā)布了MasterGaN的首個參考設計，展示了新款高集成度器件如何提高功率密度、能效，簡化產(chǎn)品設計，縮短上市時間。

EVLMG1-250WLLC參考設計是一個250W諧振變換器，電路板尺寸是100mm x 60mm，最高組件高度是35mm。功率芯片是集成了一個STDRIVE半橋柵極驅動器以及兩顆650V常關的GaN晶體管的MasterGaN1，其具有匹配的時序參數(shù)，導通電阻（Rds(on)）150mΩ，最大額定電流10A，邏輯輸入兼容3.3V至15V信號。

MasterGaN1適用于最高400W的AC/DC電源、DC/DC變換器和DC/AC逆變器應用中的高效軟開關拓撲，包括諧振變換器、有源鉗位反激或正激變換器，以及無橋圖騰柱PFC（功率因數(shù)校正）。

利用GaN功率晶體管的高能效，參考設計一次側采用無散熱器設計。此外，GaN晶體管的開關性能出色，工作頻率高于普通硅基MOSFET解決方案，因此可以使用較小的電磁元件和電容，實現(xiàn)更高的功率密度和更低的物料清單成本。

EVLMG1-250WLLC是一個標稱400V輸入的電源參考設計，提供一個24V/10A輸出端口，最高能效超過94%。得益于MasterGaN內部集成的安全功能，變換器輸出有短路和過流保護功能；同時，還具有欠壓保護和輸入電壓監(jiān)測功能，電壓檢測功能可在多個DC/DC變換器中實現(xiàn)上電排序，防止電動機低壓起動。

意法半導體的MasterGaN系列產(chǎn)品由引腳兼容的集成半橋產(chǎn)品組成，包括對稱和非對稱配置，采用9mm x 9mm的薄型GQFN封裝。封裝內部電路額定電壓最高650V，高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。MasterGaN模塊適用于各種額定功率，工程師略做硬件修改，即可擴展升級系統(tǒng)設計。