這些新一代氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET) 滿足了目前電動(dòng)出行(eMobility)、交付和物流機(jī)器人，以及無(wú)人機(jī)市場(chǎng)所需的緊湊型 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和具成本效益、高分辨率的飛行時(shí)間(ToF)的新需求。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是增強(qiáng)型硅基氮化鎵 (eGaN) 功率晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者。新推的EPC2065 和 EPC2054具備更高的性能和更低的成本等優(yōu)勢(shì)。

EPC2065 是一款 80 V、3.6 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)，可提供221 A脈沖電流，其芯片級(jí)封裝的尺寸為7.1 mm2。小尺寸和卓越的效率使得整體電源系統(tǒng)的尺寸更小和更輕，并且成為 電動(dòng)出行、電動(dòng)自行車和踏板車，服務(wù)、交付、物流機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的 32V/48V BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的理想器件。在這些應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)器與電機(jī)集成，小型化是一個(gè)關(guān)鍵因素。此外，在顯著更短的死區(qū)時(shí)間工作，可實(shí)現(xiàn)更少的噪聲和更低的EMI。該器件能夠在高頻下工作，使得用于計(jì)算和工業(yè)應(yīng)用、同步整流的高頻 DC/DC 轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)最高的功率密度。

EPC2054 是一款 200 V、3.6 mΩ的eGaN FET，采用微型芯片級(jí)封裝(1.69 mm2)，可提供 32 A 脈沖電流，尺寸超小型化、具有非?？斓拈_(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)間，以及超小電容和電感，使其成為工業(yè)激光雷達(dá)/ToF 應(yīng)用的理想器件。 由于EPC2054具有低電阻、低開(kāi)關(guān)損耗、沒(méi)有反向恢復(fù)電荷、快速開(kāi)關(guān)、可在高頻下工作和微小的占板面積等優(yōu)勢(shì)，因此可實(shí)現(xiàn)低成本且具有高功率密度的解決方案，適用于但不限于高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、無(wú)線電源、D類音頻放大器、自動(dòng)化、太陽(yáng)能和光學(xué)等應(yīng)用。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司的首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow 說(shuō)：“憑借這些新型eGaN FET的明顯優(yōu)勢(shì)，功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可以利用性能更高、體積更小、散熱效率更高且成本相當(dāng)?shù)牡壠骷?shí)現(xiàn)優(yōu)越的解決方案。氮化鎵器件替代功率 MOSFET 的速度將繼續(xù)加速。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN®)的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(LiDAR)、用于電動(dòng)運(yùn)輸、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外，宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。