衛(wèi)星通信系統(tǒng)使用復雜的調制方案，以實現(xiàn)極快的數(shù)據(jù)速率用于傳遞視頻和寬帶數(shù)據(jù)。因此，它們必須具備高射頻輸出功率，同時確保信號保持其理想的特征。Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器，以滿足上述要求。

這款新器件是Microchip的首款GaN MMIC(氮化鎵單片微波集成電路)，專為商業(yè)和國防衛(wèi)星通信、5G網絡以及其他航空航天和國防系統(tǒng)而設計。

GMICP2731-10采用碳化硅基氮化鎵技術制造。它可在27.5至31 GHz之間的3.5 GHz帶寬上提供高達10W的飽和射頻輸出功率。GMICP2731-10的功率在此基礎上可再提高20%;小信號增益為22 dB;回波損耗為15 dB。此外，新器件具有平衡結構，可以很好地匹配50歐姆電阻，并在輸出端集成直流阻斷電容，以簡化設計集成。

Microchip分立式產品業(yè)務部副總裁Leon Gross表示：“隨著通信系統(tǒng)采用128-QAM等復雜的調制方案，以及固態(tài)功率放大器(SSPA)功率不斷上升，射頻功率放大器設計人員面臨著困難的挑戰(zhàn)，即在尋找更高的功率解決方案的同時降低重量和功耗。與GaAs同類產品相比，高功率SSPA中使用的GaN MMIC可以降低30%以上的功耗和重量，這對衛(wèi)星OEM來說是一個巨大的優(yōu)勢。新產品體現(xiàn)了氮化鎵技術的優(yōu)勢，滿足了原始設備制造商對尺寸、重量、功耗和成本的要求?！?

GMICP2731-10進一步擴大了Microchip現(xiàn)有的產品陣容，包括砷化鎵MMIC射頻功率放大器、開關、低噪聲放大器和Wi-Fi®前端模塊，以及用于雷達系統(tǒng)的硅基氮化鎵高電子移動性晶體管(HEMT)驅動器和最終放大器晶體管。