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[導(dǎo)讀]本文主要介紹電源平面處理時(shí)的20H原則。

隨著系統(tǒng)速率的提高,高速數(shù)字信號(hào)產(chǎn)生的電磁干擾會(huì)向外界產(chǎn)生很強(qiáng)的電磁輻射,引起系統(tǒng)的電磁輻射嚴(yán)重超過EMC測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。其中多層板的板邊輻射就是比較常見的電磁輻射源,當(dāng)非預(yù)期的電流達(dá)到接地層和電源層的邊緣時(shí),便會(huì)發(fā)生邊緣輻射,簡(jiǎn)而言之就是PCB板電源層與地層之間的電場(chǎng)是變化的,在板的邊緣會(huì)向外輻射電磁干擾,即所謂的邊緣效應(yīng)的影響。20H原則是指PCB鋪平面時(shí)電源層相對(duì)地層內(nèi)縮20H(H為電源平面距離地平面的距離)的距離,這樣做是為了抑制邊緣輻射效應(yīng)。如下圖所示,電路板的邊緣會(huì)向外輻射電磁干擾,將電源層內(nèi)縮,使得電場(chǎng)只在接地層的范圍內(nèi)傳導(dǎo)。如下圖所示,在高速PCB中,通常電源平面和地平面間相互耦合RF能量成為邊緣磁通泄露情況,而且RF能量(RF電流)會(huì)沿著PCB邊緣向外輻射電磁干擾,為了減少這種耦合效應(yīng),所有的電源平面物理尺寸都要比最近鄰的地平面縮進(jìn)20H,使得電場(chǎng)只在接地層的范圍內(nèi)傳導(dǎo),此時(shí)RF能量有回流平面與之耦合。為了有效的提高EMC,內(nèi)縮10H時(shí),磁通泄漏就可以出現(xiàn)顯著改變;內(nèi)縮20H時(shí),可以抑制70%的磁通泄漏;內(nèi)縮100H時(shí),可以抑制98%的磁通泄漏。雖然100H有更好的抑制效果,但是電源平面與地平面邊緣縮入在比20H更大時(shí),會(huì)增加板間物理距離,電源平面的面積也會(huì)減小,而且不會(huì)使輻射電流顯著的減小。
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