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MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多,以MOS管VBZM7N60為例,下面一起來(lái)看一看,MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。
極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù),MOS管在使用過(guò)程當(dāng)中,任何情況下都不能超過(guò)下圖的這些極限參數(shù),否則MOS管有可能損壞。VDS表示漏極與源極之間所能施加的最大電壓值。VGS表示柵極與源極之間所能施加的最大電壓值。ID表示漏極可承受的持續(xù)電流值,如果流過(guò)的電流超過(guò)該值,會(huì)引起擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。IDM表示的是漏源之間可承受的單次脈沖電流強(qiáng)度,如果超過(guò)該值,會(huì)引起擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。EAS表示單脈沖雪崩擊穿能量,如果電壓過(guò)沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過(guò)擊穿電壓,則器件不會(huì)發(fā)生雪崩擊穿,因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。PD表示最大耗散功率,是指MOS性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率,使用時(shí)要注意MOS的實(shí)際功耗應(yīng)小于此參數(shù)并留有一定余量,此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫的上升而有所減額。(此參數(shù)靠不?。?/span>
TJ, Tstg,這兩個(gè)參數(shù)標(biāo)定了器件工作和存儲(chǔ)環(huán)境所允許的結(jié)溫區(qū)間,應(yīng)避免超過(guò)這個(gè)溫度,并留有一定余量,如果確保器件工作在這個(gè)溫度區(qū)間內(nèi),將極大地延長(zhǎng)其工作壽命。
dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力,越大越好。對(duì)系統(tǒng)來(lái)說(shuō),過(guò)高的dv/dt必然會(huì)帶來(lái)高的電壓尖峰,較差的EMI特性,不過(guò)該變化速率通過(guò)系統(tǒng)電路可以進(jìn)行修正。
熱阻表示熱傳導(dǎo)的難易程度,熱阻分為溝道-環(huán)境之間的熱阻、溝道-封裝之間的熱阻,熱阻越小,表示散熱性能越好。
△VDS/TJ表示的是漏源擊穿電壓的溫度系數(shù),正溫度系數(shù),其值越小,表明穩(wěn)定性越好。
VGS(th)表示的是MOS的開(kāi)啟電壓(閥值電壓),對(duì)于NMOS,當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VGS超過(guò) VGS(th)?時(shí),NMOS就會(huì)導(dǎo)通。
IGSS表示柵極驅(qū)動(dòng)漏電流,越小越好,對(duì)系統(tǒng)效率有較小程度的影響。
IDSS表示漏源漏電流,柵極電壓 VGS=0 、 VDS?為一定值時(shí)的漏源漏流,一般在微安級(jí)。
RDS(ON)表示MOS的導(dǎo)通電阻,一般來(lái)說(shuō)導(dǎo)通電阻越小越好,其決定MOS的導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通電阻越大損耗越大,MOS溫升也越高,在大功率電源中,導(dǎo)通損耗會(huì)占MOS整個(gè)損耗中較大的比例。
gfs表示正向跨導(dǎo),反映的是柵極電壓對(duì)漏源電流控制的能力,gfs過(guò)小會(huì)導(dǎo)致MOSFET關(guān)斷速度降低,關(guān)斷能力減弱,過(guò)大會(huì)導(dǎo)致關(guān)斷過(guò)快,EMI特性差,同時(shí)伴隨關(guān)斷時(shí)漏源會(huì)產(chǎn)生更大的關(guān)斷電壓尖峰。
Ciss表示輸入電容,Ciss=Cgs Cgd,該參數(shù)會(huì)影響MOS的開(kāi)關(guān)時(shí)間,該值越大,同樣驅(qū)動(dòng)能力下,開(kāi)通及關(guān)斷時(shí)間就越慢,開(kāi)關(guān)損耗也就越大。
Coss表示輸出電容,Coss=Cds Cgd;Crss表示反向傳輸電容,Crss=Cgd(米勒電容)。這兩項(xiàng)參數(shù)對(duì)MOSFET關(guān)斷時(shí)間略有影響,其中Cgd會(huì)影響到漏極有異常高電壓時(shí),傳輸?shù)組OSFET柵極電壓能量的大小,會(huì)對(duì)雷擊測(cè)試項(xiàng)目有一定影響。
Qg、Qgs、Qgd、td(on)、tr、td(off)、tf這些參數(shù)都是與時(shí)間相互關(guān)聯(lián)的參數(shù)。開(kāi)關(guān)速度越快對(duì)應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)損耗越小,效率高,溫升低,對(duì)應(yīng)的缺點(diǎn)是EMI特性差,MOSFET關(guān)斷尖峰過(guò)高。
IS?、ISM這些參數(shù)如果過(guò)小,會(huì)有電流擊穿風(fēng)險(xiǎn)。VSD、trr如果過(guò)大,在橋式或LCC系統(tǒng)中會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)損耗過(guò)大,溫升過(guò)高。Qrr該參數(shù)與充電時(shí)間成正比,一般越小越好。
輸出特性曲線(xiàn)是用來(lái)描述MOS管電流和電壓之間關(guān)系的曲線(xiàn),特性曲線(xiàn)會(huì)受結(jié)溫的影響,一般數(shù)據(jù)手冊(cè)上會(huì)列出兩種溫度下的特性曲線(xiàn)。
根據(jù)MOS管的輸出特性曲線(xiàn),取Uds其中的一點(diǎn),然后用作圖的方法,可取得到相應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)。從轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)上可以看出當(dāng)Uds為某值時(shí),Id與Ugs之間的關(guān)系。
MOS的導(dǎo)通電阻跟結(jié)溫是呈現(xiàn)正溫度系數(shù)變化的,也就是結(jié)溫越高,導(dǎo)通電阻越大。MOS數(shù)據(jù)手冊(cè)上一般會(huì)畫(huà)出當(dāng)VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻隨溫度變化的曲線(xiàn)。
電容容量值越小,柵極總充電電量QG越小,開(kāi)關(guān)速度越快,開(kāi)關(guān)損耗就越小,開(kāi)關(guān)電源DC/DC變換器等應(yīng)用,要求較小的QG值。
MOS管一般會(huì)有一個(gè)寄生二極管,寄生二極管對(duì)MOS管有保護(hù)的作用,它的特性跟普通的二極管是一樣的,也具有正向?qū)ǖ奶匦浴?/span>
最大安全工作區(qū)是由一系列(電壓,電流)坐標(biāo)點(diǎn)形成的一個(gè)二維區(qū)域,MOS管工作時(shí)的電壓和電流都不能超過(guò)該區(qū)域,如果超過(guò)這個(gè)區(qū)域就存在危險(xiǎn)。
可以看到,MOS管的相關(guān)參數(shù)其實(shí)有很多,其實(shí),在一般應(yīng)用中,我們主要考慮漏源擊穿電壓VDS、持續(xù)漏極電流ID、導(dǎo)通電阻RDS(ON)、最大耗散功率PD、開(kāi)啟電壓VGS(th),開(kāi)關(guān)時(shí)間,工作溫度范圍等參數(shù)就可以了。來(lái)自|電子電路—— The End?——微信公眾號(hào)后臺(tái)回復(fù)關(guān)鍵字“加群”,添加小編微信,拉你入技術(shù)群。
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LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。
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驅(qū)動(dòng)電源
在工業(yè)自動(dòng)化蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,工業(yè)電機(jī)作為核心動(dòng)力設(shè)備,其驅(qū)動(dòng)電源的性能直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。其中,反電動(dòng)勢(shì)抑制與過(guò)流保護(hù)是驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的兩個(gè)環(huán)節(jié),集成化方案的設(shè)計(jì)成為提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能的關(guān)鍵。
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工業(yè)電機(jī)
驅(qū)動(dòng)電源
LED 驅(qū)動(dòng)電源作為 LED 照明系統(tǒng)的 “心臟”,其穩(wěn)定性直接決定了整個(gè)照明設(shè)備的使用壽命。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,LED 驅(qū)動(dòng)電源易損壞的問(wèn)題卻十分常見(jiàn),不僅增加了維護(hù)成本,還影響了用戶(hù)體驗(yàn)。要解決這一問(wèn)題,需從設(shè)計(jì)、生...
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電動(dòng)汽車(chē)(EV)作為新能源汽車(chē)的重要代表,正逐漸成為全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向。電動(dòng)汽車(chē)的核心技術(shù)之一是電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng),而絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件,其性能直接影響到電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力性能和...
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電動(dòng)汽車(chē)
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驅(qū)動(dòng)電源
在現(xiàn)代城市建設(shè)中,街道及停車(chē)場(chǎng)照明作為基礎(chǔ)設(shè)施的重要組成部分,其質(zhì)量和效率直接關(guān)系到城市的公共安全、居民生活質(zhì)量和能源利用效率。隨著科技的進(jìn)步,高亮度白光發(fā)光二極管(LED)因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸取代傳統(tǒng)光源,成為大功率區(qū)域...
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驅(qū)動(dòng)電源
LED
在LED照明技術(shù)日益普及的今天,LED驅(qū)動(dòng)電源的電磁干擾(EMI)問(wèn)題成為了一個(gè)不可忽視的挑戰(zhàn)。電磁干擾不僅會(huì)影響LED燈具的正常工作,還可能對(duì)周?chē)娮釉O(shè)備造成不利影響,甚至引發(fā)系統(tǒng)故障。因此,采取有效的硬件措施來(lái)解決L...
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驅(qū)動(dòng)電源
開(kāi)關(guān)電源具有效率高的特性,而且開(kāi)關(guān)電源的變壓器體積比串聯(lián)穩(wěn)壓型電源的要小得多,電源電路比較整潔,整機(jī)重量也有所下降,所以,現(xiàn)在的LED驅(qū)動(dòng)電源
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LED
驅(qū)動(dòng)電源
開(kāi)關(guān)電源
LED驅(qū)動(dòng)電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的電壓轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。
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LED
隧道燈
驅(qū)動(dòng)電源
LED驅(qū)動(dòng)電源在LED照明系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。由于LED具有節(jié)能、環(huán)保、長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn),使得LED照明在各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,LED的電流、電壓特性需要特定的驅(qū)動(dòng)電源才能正常工作。本文將介紹常用的LED驅(qū)動(dòng)電...
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LED驅(qū)動(dòng)電源
led照明
LED驅(qū)動(dòng)電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的電源轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。
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驅(qū)動(dòng)電源
高壓工頻交流
崧盛股份9日發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表,就植物照明發(fā)展趨勢(shì)、行業(yè)壁壘等問(wèn)題進(jìn)行分享。植物照明未來(lái)市場(chǎng)需求廣闊崧盛股份指出,植物照明將會(huì)走向長(zhǎng)期產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。主要原因有三:第一,LED植物照明賦能終端種植更具有經(jīng)濟(jì)價(jià)值。由于LE...
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崧盛股份
驅(qū)動(dòng)電源
在當(dāng)今高度發(fā)展的技術(shù)中,電子產(chǎn)品的升級(jí)越來(lái)越快,LED燈技術(shù)也在不斷發(fā)展,這使我們的城市變得豐富多彩。 LED驅(qū)動(dòng)電源將電源轉(zhuǎn)換為特定的電壓和電流,以驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光。通常情況下:LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流電(即...
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驅(qū)動(dòng)電源
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人類(lèi)社會(huì)的進(jìn)步離不開(kāi)社會(huì)上各行各業(yè)的努力,各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開(kāi)我們的設(shè)計(jì)者的努力,其實(shí)很多人并不會(huì)去了解電子產(chǎn)品的組成,比如LED電源。
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驅(qū)動(dòng)電源
低壓直流
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,LED技術(shù)也在不斷發(fā)展,為我們的生活帶來(lái)各種便利,為我們提供各種各樣生活信息,造福著我們?nèi)祟?lèi)。LED驅(qū)動(dòng)電源實(shí)際上是一種電源,但是它是一種特定的電源,用于驅(qū)動(dòng)LED發(fā)射帶有電壓或電流的光。 因此,LE...
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LED
驅(qū)動(dòng)電源
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開(kāi)關(guān)電源
驅(qū)動(dòng)電源
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