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MOSFET因其開關(guān)特性和驅(qū)動特性在電子設(shè)計領(lǐng)域引領(lǐng)風(fēng)騷已有數(shù)十年之久。在實際應(yīng)用場景中，MOSFET會根據(jù)不同的耐受等級來分類設(shè)計其電氣屬性，實現(xiàn)了物盡其用。一些電機(jī)驅(qū)動電路對控制信號的精度要求比較高，并要求經(jīng)過MOSFET的損耗必須小，但一般的MOSFET都存在一定大小的導(dǎo)通電阻，給選型、設(shè)計帶來極大的困擾。
作為一家在功率MOSFET耕耘多年的企業(yè)，東芝半導(dǎo)體通過不斷地創(chuàng)新迭代，推出了40V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——TK1R5R04PB。
TK1R5R04PB的D2PAK 實物效果圖一TK1R5R04PB的特征屬性分析
TK1R5R04PB是東芝推出的U-MOSIX-H系列低壓型40V N通道功率MOSFET產(chǎn)品，采用D2PAK 封裝，結(jié)構(gòu)簡單。TK1R5R04PB在研發(fā)設(shè)計生產(chǎn)時，延續(xù)功率MOSFET電氣特性的同時還降低了內(nèi)部的導(dǎo)通電阻，使得產(chǎn)品本身屬性有了一個質(zhì)的飛躍。
TK1R5R04PB具有以下特點：
- 低漏源導(dǎo)通電阻：柵源極電壓VGS＝10V時，RDS(ON)＝1.25m?（典型值）；
- 低漏極電流：漏源極電壓VDS＝40V時，IDSS＝10μA（最大值）；
- 優(yōu)化模式：柵極閾值電壓Vth＝2.0至3.0V（VDS＝10V，ID＝0.5mA）。
- 通過了AEC-Q101認(rèn)證。
TK1R5R04PB的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖二TK1R5R04PB的功能特性分析
U-MOSIX-H系列是前一代系列（U-MOSIV）的迭代升級產(chǎn)品，可以實現(xiàn)對應(yīng)電氣屬性的迭代替換，從而更好的改善電路整體的功能屬性。U-MOSIX-H系列產(chǎn)品具備三大優(yōu)勢，第一該系列產(chǎn)品具備低噪聲特性和低電磁干擾特性，這樣一來不會對數(shù)字信號和其他電磁信號產(chǎn)生干擾；第二低電阻導(dǎo)通特性不會讓流經(jīng)的電信號產(chǎn)生大的損耗，第三更能夠滿足快速的PWM通道轉(zhuǎn)換。以下是對MOSFET動態(tài)特性的實驗驗證，能夠充分的對TK1R5R04PB的實時性傳輸加以佐證。
MOSFET的開關(guān)時間測試電路圖三TK1R5R04PB的應(yīng)用場景分析
TK1R5R04PB作為全新封裝的U-MOSIX-H系列功率器件，不僅降低導(dǎo)通電阻，也將傳輸效率推上了浪尖，從而奠定了它在市場上的廣泛應(yīng)用場景：在汽車電子、電機(jī)驅(qū)動電路、開關(guān)電源、DC-DC隔離轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中都發(fā)揮著非常高的實用價值。
東芝在功率半導(dǎo)體器件研發(fā)設(shè)計中積累了豐富的技術(shù)經(jīng)驗，堅持不斷地在技術(shù)設(shè)計上改進(jìn)和創(chuàng)新，推動低壓MOSFET市場發(fā)展，在低導(dǎo)通電阻MOSFET電路中具有強(qiáng)力的參考和應(yīng)用價值。
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社，融新公司活力與經(jīng)驗智慧于一身。自2017年7月成為獨立公司以來，已躋身通用元器件公司前列，為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。
公司24,000名員工遍布世界各地，致力于實現(xiàn)產(chǎn)品價值的最大化。東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協(xié)作，旨在促進(jìn)價值共創(chuàng)，共同開拓新市場，實現(xiàn)了超過7500億日元（68億美元）的年銷售額。公司期望為世界各地的人們建設(shè)更加美好的未來。
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