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根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計顯示，功率MOSFET約占據(jù)全球功率器件市場規(guī)模的22%。功率MOSFET在近幾年間需求的快速增長，源于其獨特的產(chǎn)品優(yōu)勢：

第一，功率MOSFET驅動電路較為簡單，通?？梢杂蒚TL驅動電路或者CMOS直接驅動；

第二，功率MOSFET的開關速度較快，能夠以較高的速度工作；

第三，功率MOSFET沒有二次擊穿失效的機理，它在溫度越高時往往耐力越強，發(fā)生熱擊穿的可能性越低。

此外，因其可以在較寬的溫度范圍內提供較好的性能，所以被廣泛的應用在大功率電源方面。

以往應用在大功率電源上的MOSFET體積都比較大，導致電源都比較厚重，不但增加了材料成本，還對安裝施工造成了不小的困擾。因此，東芝就以上問題推出了一款采用TOLL小封裝的MOSFET產(chǎn)品——TK065U65Z，為大功率的電子產(chǎn)品提供體積與成本上的解決方案。

一.?電氣特性分析

TK065U65Z是東芝推出的DTMOS第VI代，N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品，采用TOLL封裝，寬、長、高分別為9.9mm×11.68mm×2.3mm。

TK065U65Z的漏源電壓（VDSS）高達650V，漏源電流（ID）最高可達到38A，漏源導通電阻最大值為0.065Ω。

具體參數(shù)如下：

二. 功能特性分析

TOLL封裝“神助攻”：

TOLL是一種表面貼裝型封裝，所需空間比常見的D2PAK封裝小27%。它也屬于4引腳型封裝，能夠對柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接，從而減小封裝中源極線的電感，進而發(fā)揮MOSFET高速開關性能，抑制開關時產(chǎn)生的振蕩。與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TK090N65Z相比，其導通開關損耗降低了約68%，關斷開關損耗降低了約56%。新型MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調節(jié)器等工業(yè)設備的電源。

TOLL封裝與最新DTMOS第VI代工藝技術相結合擴展了產(chǎn)品陣容，覆蓋了低至65mΩ（最大值）的低導通電阻。

采用先進的DTMOS VI結構：

TK065U65Z具有超結的結構，即使漂移層具有高耐受電壓，也能夠降低其電阻。同時該產(chǎn)品采用單層外延工藝，實現(xiàn)了低導通電阻與高速開關。最新一代DTMOS的第Ⅵ代系列與傳統(tǒng)的DTMOSⅣ-H系列相比，通過降低漏源導通電阻和柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）的乘積（品質因數(shù)），能夠提高開關電源的效率。

三. 應用場景分析

TK065U65Z憑借其優(yōu)異的性能與先進的封裝技術，被廣泛應用于開關電源、數(shù)據(jù)中心（服務器電源等）、充電樁、光伏發(fā)電機的功率調節(jié)器和不間斷電源系統(tǒng)（UPS）等領域。

作為一家在功率MOSFET深耕多年的科技型企業(yè)，東芝半導體通過對市場敏銳的洞察能力和不斷地產(chǎn)品迭代創(chuàng)新的科技力量，相信能夠為未來您在MOSFET的產(chǎn)品選型上提供更多參考價值。

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