資源免費(fèi)下載 | 如何實現(xiàn)高質(zhì)量又可靠的高壓信號隔離？
[導(dǎo)讀]點擊上方藍(lán)字關(guān)注我們！電路隔離也稱為電流隔離，可防止直流(DC)和干擾交流(AC)信號從系統(tǒng)的一個區(qū)域傳遞到需要保護(hù)的另一區(qū)域。隔離的其中一個用途是，通過防止高頻噪聲的傳播來保持系統(tǒng)的信號完整性，保護(hù)敏感電路受高壓浪涌和尖峰的影響，并為操作人員提供安全保障。簡介德州儀器(TI)最...
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電路隔離也稱為電流隔離，可防止直流 (DC) 和干擾交流 (AC)信號從系統(tǒng)的一個區(qū)域傳遞到需要保護(hù)的另一區(qū)域。
隔離的其中一個用途是，通過防止高頻噪聲的傳播來保持系統(tǒng)的信號完整性，保護(hù)敏感電路受高壓浪涌和尖峰的影響，并為操作人員提供安全保障。
簡介德州儀器 (TI) 最新開發(fā)的制造工藝可在電容電路中提供增強(qiáng)的信號隔離，該電容電路使用二氧化硅(SiO2)（一種基本的片上絕緣）作為電介質(zhì)。該工藝是 TI 用于保護(hù)高壓、高頻信號傳遞、基于電容器的第二代集成增強(qiáng)型隔離技術(shù)。采用這種工藝生產(chǎn)的產(chǎn)品性能可靠，具有防震保護(hù)和增強(qiáng)型隔離性，這相當(dāng)于在單個裝中提供了兩個基本型級別的隔離。
本技術(shù)簡介詳細(xì)討論了 TI 基于電容器的增強(qiáng)型信號隔離。該簡介運(yùn)用大量的器件表征和測試數(shù)據(jù)來展示該工藝和相關(guān)器件是如何達(dá)到或超出增強(qiáng)型隔離的規(guī)范。
1.實現(xiàn)高壓隔離
高壓 (HV) 隔離可通過使用兩個（在隔離柵的每側(cè)各使用一個）串聯(lián)的厚 SiO2 電容器實現(xiàn)。
高壓電容采用高性能模擬工藝制造，并封裝在多芯片 SOIC 模塊中。晶圓制造工藝是一種在金屬之間形成高壓電容的多層級金屬工藝，如圖 1 所示。只需通過使用標(biāo)準(zhǔn)的層間電介質(zhì)層，該結(jié)構(gòu)即可實現(xiàn)高壓隔離所需的 SiO2 厚度。這種多層結(jié)構(gòu)減少了高壓性能對任何單一介電層依賴，從而可提高質(zhì)量和可靠性。圖 1. 高壓電容。使用這種隔離電容技術(shù)的多芯片模塊如圖 2 所示。發(fā)送器和接收器均具有隔離電容，與單個電容相比，其高壓隔離能力提高了一倍。非常厚的多層鈍化層可保護(hù)高壓隔離裸片，使其免受裸片周圍模塑化合物的損壞。 使用此配置的產(chǎn)品可滿足增強(qiáng)型隔離的業(yè)界通用要求，包括：VIOTM = 5.7kVrms 瞬態(tài)過電壓VIORM = 2.0kVrms 20 年增強(qiáng)型隔離工作電壓
VIOSM = 8kV 峰值圖 2. 高壓隔離多芯片模塊，在發(fā)送器和接收器上帶有串聯(lián)連接的高壓電容。多個組件級以及系統(tǒng)級和終端設(shè)備級標(biāo)準(zhǔn)管理和認(rèn)證隔離產(chǎn)品。根據(jù)實際操作條件，隔離產(chǎn)品必須針對各種電壓應(yīng)力曲線進(jìn)行測試，以量化其高壓隔離性能[1]。這些組件級參數(shù)包括工作電壓 (VIOWM)、最大瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)、隔離耐受電壓 (VISO)、最大重復(fù)峰值電壓 (VIORM) 和最大浪涌隔離電壓 (VIOSM)。表 2 列出了這些參數(shù)和用于驗證這些功能的測試。表 2. 高壓隔離測試。[1] https://www.ti.com/lit/wp/slyy063/slyy063.pdf
想要了解2.高壓隔離測試等完整內(nèi)容，快點擊“閱讀原文”下載白皮書《實現(xiàn)高質(zhì)量和可靠的高壓信號隔離》解鎖吧！2021年6月17日（周四）?10:00-12:00，在線直播：TI 隔離式電源控制器簡介即將上線！
本次直播我們將帶您了解 TI 廣泛的隔離式電源控制器。1.介紹可用于多種拓?fù)?，包括降壓，升壓?SEPIC 的 PWM 控制器產(chǎn)品組合，便于節(jié)省您在各種項目中的設(shè)計和認(rèn)證時間
2.介紹能夠?qū)崿F(xiàn)零電壓開關(guān)和超低靜態(tài)電流（IQ）的 AC / DC 反激控制器
快掃描下方二維碼，預(yù)約您的直播吧！延展閱讀電源“芯”趨勢 | 告訴你那些 TI 實現(xiàn)可靠高壓隔離的秘密
隔離101：如何為您的應(yīng)用找到合適的隔離解決方案
為什么信號隔離在48V HEV/EV系統(tǒng)中十分重要
前方預(yù)告來襲——電源工程師培訓(xùn)授證項目中級課程上線啦！
從2012年起，TI中國成立了專門的培訓(xùn)部門，展開了大量面向工程師的線上線下培訓(xùn)。TI電源工程師培訓(xùn)授證項目是由中國電子學(xué)會(CIE)指導(dǎo)，電源工程師技術(shù)培訓(xùn)網(wǎng)(ee-training)運(yùn)營的專業(yè)電源類培訓(xùn)，分為初級、中級、高級三個階段由淺入深的分級教學(xué)。同時考慮到網(wǎng)絡(luò)培訓(xùn)的特點，該系列課程采用多章節(jié)多段落方式，使工程師可以利用碎片時間有針對性地選擇學(xué)習(xí)。
6月15日（周二）13:00-17:00，資深電源工程-中級課程即將開課！快來掃描下方二維碼預(yù)約您的課程席位通過科學(xué)系統(tǒng)的電源培訓(xùn)課程步步進(jìn)階吧！電源培訓(xùn) | 延展閱讀只為遇見最好的電源培訓(xùn)
當(dāng)電源培訓(xùn)遇上漢桑的企業(yè)變革
這里有靠譜的電源培訓(xùn)！
電源培訓(xùn)，TI是認(rèn)真的！
電源工程師的自我修養(yǎng), 速來了解電源工程師培訓(xùn)授證項目
想要系統(tǒng)學(xué)習(xí)電源設(shè)計？不要錯過TI原版“教材”了解更多電源開發(fā)的產(chǎn)品方面的問題，擴(kuò)展自己的電源產(chǎn)品實際設(shè)計開發(fā)能力，點擊下方圖片，查看電源入門書籍！如需獲取更多在線技術(shù)支持，請訪問TI E2E 中文支持論壇（e2echina.ti.com）。
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1.實現(xiàn)高壓隔離
高壓 (HV) 隔離可通過使用兩個（在隔離柵的每側(cè)各使用一個）串聯(lián)的厚 SiO2 電容器實現(xiàn)。
高壓電容采用高性能模擬工藝制造，并封裝在多芯片 SOIC 模塊中。晶圓制造工藝是一種在金屬之間形成高壓電容的多層級金屬工藝，如圖 1 所示。只需通過使用標(biāo)準(zhǔn)的層間電介質(zhì)層，該結(jié)構(gòu)即可實現(xiàn)高壓隔離所需的 SiO2 厚度。這種多層結(jié)構(gòu)減少了高壓性能對任何單一介電層依賴，從而可提高質(zhì)量和可靠性。
圖 1. 高壓電容。使用這種隔離電容技術(shù)的多芯片模塊如圖 2 所示。發(fā)送器和接收器均具有隔離電容，與單個電容相比，其高壓隔離能力提高了一倍。非常厚的多層鈍化層可保護(hù)高壓隔離裸片，使其免受裸片周圍模塑化合物的損壞。 使用此配置的產(chǎn)品可滿足增強(qiáng)型隔離的業(yè)界通用要求，包括：VIOTM = 5.7kVrms 瞬態(tài)過電壓VIORM = 2.0kVrms 20 年增強(qiáng)型隔離工作電壓VIOSM = 8kV 峰值
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