向前進(jìn)！2025年前上海要突破光刻設(shè)備?芯片設(shè)計(jì)進(jìn)入3nm工藝內(nèi)
[導(dǎo)讀]作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的重鎮(zhèn)，日前上海方面印發(fā)了《上海市先進(jìn)制造業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃》的通知，其中提到要著力發(fā)展三大先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)（集成電路、生物醫(yī)藥、人工智能）。在集成電路方面，通知要求集成電路產(chǎn)業(yè)以自主創(chuàng)新、規(guī)模發(fā)展為重點(diǎn)，提升芯片設(shè)計(jì)、制造封測(cè)、裝備材料全產(chǎn)業(yè)鏈能級(jí)。通知也針對(duì)芯片設(shè)...
作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的重鎮(zhèn)，日前上海方面印發(fā)了《上海市先進(jìn)制造業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃》的通知，其中提到要著力發(fā)展三大先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)（集成電路、生物醫(yī)藥、人工智能）。
在集成電路方面，通知要求集成電路產(chǎn)業(yè)以自主創(chuàng)新、規(guī)模發(fā)展為重點(diǎn)，提升芯片設(shè)計(jì)、制造封測(cè)、裝備材料全產(chǎn)業(yè)鏈能級(jí)。
通知也針對(duì)芯片設(shè)計(jì)、制造封測(cè)及裝備材料三個(gè)領(lǐng)域提出了明確的要求。其中芯片設(shè)計(jì)方面，應(yīng)加快突破面向云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、新一代通信、智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的高端處理器芯片、存儲(chǔ)器芯片、微處理器芯片、圖像處理器芯片、現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯門(mén)陣列芯片（FPGA）、5G核心芯片等，推動(dòng)骨干企業(yè)芯片設(shè)計(jì)能力進(jìn)入3nm及以下，打造國(guó)家級(jí)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）平臺(tái)，并能支持新型指令集、關(guān)鍵核心IP等形成市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
制造封測(cè)方面，通知要求加快先進(jìn)工藝的研發(fā)，能支持12英寸先進(jìn)工藝生產(chǎn)線建設(shè)和特色工藝產(chǎn)線建設(shè)，爭(zhēng)取產(chǎn)能倍增，從而加快第三代化合物半導(dǎo)體的發(fā)展；發(fā)展晶圓級(jí)封裝、2.5D/3D封裝、柔性基板封裝、系統(tǒng)封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)。
針對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備及材料，通知要求加強(qiáng)裝備材料創(chuàng)新發(fā)展，突破光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜設(shè)備、離子注入設(shè)備、濕法設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等集成電路前道核心工藝設(shè)備；提升12英寸硅片、高端掩膜板、光刻膠、濕化學(xué)品、電子特氣等基礎(chǔ)材料產(chǎn)能和技術(shù)水平，強(qiáng)化本地配套能力。
此外，充分發(fā)揮張江實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家集成電路創(chuàng)新中心等“1 4”創(chuàng)新體系的引領(lǐng)作用，加強(qiáng)前瞻性、顛覆性技術(shù)研發(fā)和布局，聯(lián)合長(zhǎng)三角開(kāi)展產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作。加快建設(shè)上海集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)園、東方芯港、電子化學(xué)品專(zhuān)區(qū)等特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)載體，引進(jìn)建設(shè)一批重大項(xiàng)目。
最終到2025年，上?；窘ǔ删邆渥灾靼l(fā)展能力、具有全球影響力的集成電路創(chuàng)新高地。
END
來(lái)源：快科技版權(quán)歸原作者所有，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除。
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在集成電路方面，通知要求集成電路產(chǎn)業(yè)以自主創(chuàng)新、規(guī)模發(fā)展為重點(diǎn)，提升芯片設(shè)計(jì)、制造封測(cè)、裝備材料全產(chǎn)業(yè)鏈能級(jí)。
通知也針對(duì)芯片設(shè)計(jì)、制造封測(cè)及裝備材料三個(gè)領(lǐng)域提出了明確的要求。其中芯片設(shè)計(jì)方面，應(yīng)加快突破面向云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、新一代通信、智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的高端處理器芯片、存儲(chǔ)器芯片、微處理器芯片、圖像處理器芯片、現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯門(mén)陣列芯片（FPGA）、5G核心芯片等，推動(dòng)骨干企業(yè)芯片設(shè)計(jì)能力進(jìn)入3nm及以下，打造國(guó)家級(jí)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）平臺(tái)，并能支持新型指令集、關(guān)鍵核心IP等形成市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
制造封測(cè)方面，通知要求加快先進(jìn)工藝的研發(fā)，能支持12英寸先進(jìn)工藝生產(chǎn)線建設(shè)和特色工藝產(chǎn)線建設(shè)，爭(zhēng)取產(chǎn)能倍增，從而加快第三代化合物半導(dǎo)體的發(fā)展；發(fā)展晶圓級(jí)封裝、2.5D/3D封裝、柔性基板封裝、系統(tǒng)封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)。
針對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備及材料，通知要求加強(qiáng)裝備材料創(chuàng)新發(fā)展，突破光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜設(shè)備、離子注入設(shè)備、濕法設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等集成電路前道核心工藝設(shè)備；提升12英寸硅片、高端掩膜板、光刻膠、濕化學(xué)品、電子特氣等基礎(chǔ)材料產(chǎn)能和技術(shù)水平，強(qiáng)化本地配套能力。
此外，充分發(fā)揮張江實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家集成電路創(chuàng)新中心等“1 4”創(chuàng)新體系的引領(lǐng)作用，加強(qiáng)前瞻性、顛覆性技術(shù)研發(fā)和布局，聯(lián)合長(zhǎng)三角開(kāi)展產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作。加快建設(shè)上海集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)園、東方芯港、電子化學(xué)品專(zhuān)區(qū)等特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)載體，引進(jìn)建設(shè)一批重大項(xiàng)目。
最終到2025年，上?；窘ǔ删邆渥灾靼l(fā)展能力、具有全球影響力的集成電路創(chuàng)新高地。
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