如何通過寬帶隙材料獨(dú)特屬性提高應(yīng)用性能
[導(dǎo)讀]點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！電力電子設(shè)計(jì)者一直在等待突破性的技術(shù)，以重新排列電路拓?fù)浜吞岣吣茉崔D(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率。碳化硅技術(shù)完全符合這些期望，而氮化鎵具有相當(dāng)好的前景……在本白皮書中，除了對SiC和GaN的見解之外，我們還講解了關(guān)于使用SiCMOSFET而不是傳統(tǒng)硅器件在性...
點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA"，關(guān)注我們！
電力電子設(shè)計(jì)者一直在等待突破性的技術(shù)，以重新排列電路拓?fù)浜吞岣吣茉崔D(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率。碳化硅技術(shù)完全符合這些期望，而氮化鎵具有相當(dāng)好的前景……
在本白皮書中，除了對SiC和GaN的見解之外，我們還講解了關(guān)于使用SiC MOSFET而不是傳統(tǒng)硅器件在性能和成本效益方面有意義的應(yīng)用類型和條件的真實(shí)反饋。
本次議題涵蓋以下內(nèi)容：
- 碳化硅的出現(xiàn)如何為大規(guī)模采用寬帶隙半導(dǎo)體鋪平了道路
- SiC MOSFET和GaN HEMTs在各種應(yīng)用中所帶來的好處
- 平面與溝槽技術(shù): SiC MOSFET產(chǎn)品路線圖
- 使用SiC MOSFET的設(shè)計(jì)優(yōu)勢
- 使用GaN器件的好處及其未來潛力
ST大規(guī)模生產(chǎn)SiC MOSFET和二極管，適合大范圍的應(yīng)用。我們正與許多客戶合作。為他們未來的應(yīng)用開發(fā)做出貢獻(xiàn)，為我們在電力電子領(lǐng)域的SiC和GaN器件的重大創(chuàng)新潛力提供明確的答案并分享見解。
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