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[導(dǎo)讀]▼點(diǎn)擊下方名片,關(guān)注公眾號(hào)▼存儲(chǔ)器分為兩大類:RAM和ROM。RAM就不講了,主要討論ROM。ROM最初不能編程,出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容,不靈活。后來出現(xiàn)了PROM,可以自己寫入一次,要是寫錯(cuò)了,只能換一片,自認(rèn)倒霉。人類文明不斷進(jìn)步,終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM,每...

點(diǎn)擊下方名片,關(guān)注公眾號(hào)

存儲(chǔ)器分為兩大類:RAM和ROM。RAM就不講了,主要討論ROM。


ROM最初不能編程,出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容,不靈活。


后來出現(xiàn)了PROM,可以自己寫入一次,要是寫錯(cuò)了,只能換一片,自認(rèn)倒霉。


人類文明不斷進(jìn)步,終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下;想一下你往單片機(jī)上下了一個(gè)程序之后發(fā)現(xiàn)有個(gè)地方需要加一句話,為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時(shí),然后才能再下一次,這么折騰一天也改不了幾次。


歷史的車輪不斷前進(jìn),偉大的EEPROM出現(xiàn)了,拯救了一大批程序員,終于可以隨意的修改ROM中的內(nèi)容了。


EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對(duì)于紫外擦除的ROM來講的。但是今天已經(jīng)存在多種EEPROM的變種,變成了一類存儲(chǔ)器的統(tǒng)稱。




狹義的EEPROM


這種ROM的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問和修改任何一個(gè)字節(jié),可以往每個(gè)bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM,掉電后數(shù)據(jù)不丟失,可以保存100年,可以擦寫100w次。具有較高的可靠性,但是電路復(fù)雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節(jié)到幾百千字節(jié)的,絕少有超過512K的。


例如常見的24C02:





廣義的EEPROM


flash屬于廣義的EEPROM,因?yàn)樗彩请姴脸腞OM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM,我們都叫它flash。


flash做的改進(jìn)就是擦除時(shí),不再以字節(jié)為單位,而是以塊為單位,一次簡(jiǎn)化了電路,數(shù)據(jù)密度更高,降低了成本。


MB存量的ROM一般都是flash。如W25Q128JVSIQ:



flash又分為nor flash和nand flash。


(1)nor flash:


nor flash數(shù)據(jù)線和地址線分開,可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能,可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。


(2)nand flash:


nand flash同樣是按塊擦除,但是數(shù)據(jù)線和地址線復(fù)用,不能利用地址線隨機(jī)尋址。讀取只能按頁(yè)來讀取。(nandflash按塊來擦除,按頁(yè)來讀,nor flash沒有頁(yè)),例如:W29N01HVSINA。



由于nand flash引腳上復(fù)用,因此讀取速度比nor flash慢一點(diǎn),但是擦除和寫入速度比nor flash快很多。nand ?flash內(nèi)部電路更簡(jiǎn)單,因此數(shù)據(jù)密度大,體積小,成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2~12M的flash多是nor型的。


使用壽命上,nor flash的擦除次數(shù)是nand的數(shù)倍。而且nand flash可以標(biāo)記壞塊,從而使軟件跳過壞塊。nor flash 一旦損壞便無法再用。


因?yàn)閚or flash可以進(jìn)行字節(jié)尋址,所以程序可以在nor flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼,用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。

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