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[導讀] (全球TMT2021年9月16日訊)2021年8月17日,中欣晶圓首根12寸450公斤投料晶棒問世,該晶棒凈重437.7kg,體長2900mm,身長2400mm,良率達到87.6%,相較于之前300

(全球TMT2021年9月16日訊)2021年8月17日,中欣晶圓首根12寸450公斤投料晶棒問世,該晶棒凈重437.7kg,體長2900mm,身長2400mm,良率達到87.6%,相較于之前300公斤投料量時的良率提高了4.6個百分點。9月5日喜報再次傳來,第二根12寸450公斤投料晶棒再次拉制成功,參數(shù)指標與第一根晶棒相差無異,公司目前已經(jīng)具備標準化量產(chǎn)12寸450公斤投料晶棒的技術和工藝水平。在全球范圍內(nèi),中欣晶圓是極少數(shù)幾家能做到成功拉制12寸450公斤投料晶棒的半導體硅片企業(yè)。

中欣晶圓:連續(xù)成功拉制12寸450公斤投料晶棒,量產(chǎn)可期

中欣晶圓投料晶棒研發(fā)團隊相關人員表示:此次“超重”晶棒的拉制成功對企業(yè)具有里程碑式的意義,其優(yōu)勢在于:

一、實現(xiàn)工藝提升

在晶棒拉制過程中,投料越多對工藝、單晶爐臺控制精度都會有更高的要求。由于32寸石英坩堝一次性最多能裝340公斤的多晶硅料,所以投料量增加至450公斤必須要采用二次投料技術來實現(xiàn)。自中欣晶圓12寸450公斤投料晶棒研發(fā)項目成立以來,研發(fā)團隊在前期8寸二次投料基礎之上,根據(jù)12寸單晶爐結(jié)構(gòu)設計配套使用二次投料工裝。順利完成所有部件組裝后,研發(fā)小組在空爐情況下進行試用,并最終成功實現(xiàn)連續(xù)2根12寸450公斤投料晶棒的拉制,帶動工藝提升。未來中欣晶圓12寸450公斤投料晶棒將會形成標準化量產(chǎn)。

二、有效提升產(chǎn)量和良率

大質(zhì)量晶棒的拉制成功使得中欣晶圓月產(chǎn)量得以提升,與此同時,大質(zhì)量晶棒長度增加提升了單根晶棒的可利用率,有助于提升12寸硅片的良率和穩(wěn)定性。

三、實現(xiàn)降本增效

大質(zhì)量晶棒在直徑相同的情況之下,意味著長度的增加,頭料和尾料相應減少,從而能夠提升晶棒的可利用率,實現(xiàn)降低成本增加效益;另一方面投料量增加,使用同樣坩堝及輔材增加產(chǎn)出,節(jié)省坩堝和輔材使用量,降低成本。 

中欣晶圓:連續(xù)成功拉制12寸450公斤投料晶棒,量產(chǎn)可期

中欣晶圓擁有國內(nèi)先進的半導體硅片生產(chǎn)線,是國內(nèi)極少數(shù)能量產(chǎn)12英寸大硅片的半導體材料企業(yè),目前具有6英寸及以下40萬片/月、8英寸45萬片/月、12英寸10萬片/月的產(chǎn)能,將在2022年12英寸擁有20萬片/月生產(chǎn)能力,產(chǎn)品為拋光片(重摻/輕摻/Cop-free)和外延片,主要用于邏輯芯片(Logic)、閃存芯片(3D NAND & Nor Flash)、動態(tài)隨機存儲芯片(DRAM)、圖像傳感器(CIS)、顯示驅(qū)動芯片(Display Driver IC)等。中欣晶圓苦心專研技術,已在12英寸重摻砷低電阻率2.3—3毫歐、重摻紅磷低電阻率1.3毫歐上取得突破,達到國內(nèi)外先進水平,并開始向國內(nèi)外客戶供應正片。

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