（全球TMT2021年9月23日訊）德州儀器（TI）宣布其氮化鎵（GaN）技術和 C2000™ 實時微控制器（MCU），輔以臺達（Delta Electronics）長期耕耘之電力電子核心技術，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設計高效、高功率的企業(yè)用服務器電源供應器（PSU）。與使用傳統(tǒng)架構的企業(yè)服務器電源供應器相比，臺達研發(fā)的服務器電源供應器將功率密度提高了80%，效率提升1%。能源政策機構Energy Innovation數(shù)據(jù)顯示，效率每提升1%，相當于每個數(shù)據(jù)中心節(jié)省了1兆瓦（或800戶家庭用電）的總所有成本。

臺達為全球客戶提供電源管理與散熱解決方案，同時也是AC-DC、DC-DC與DC-AC電源系統(tǒng)的領導廠商，產(chǎn)品應用范圍廣泛，包括IT設備、電動車充電與工業(yè)電源等。TI在GaN技術以及C2000™ MCU實時控制解決方案上長達十年的投資有目共睹，是臺達長期合作的重要伙伴。此次TI采用創(chuàng)新的半導體制造工藝來制造硅基氮化鎵和集成電路，助力臺達等企業(yè)打造差異化應用，更高效地為世界各地的數(shù)據(jù)中心供電。

集成的GaN 芯片提供更高的效率、功率密度和系統(tǒng)可靠性

• 在高電壓、高功率工業(yè)應用中，TI的GaN FET集成了快速開關驅(qū)動器，以及內(nèi)部保護和溫度感測功能，能夠更好地在有限的電路板空間內(nèi)實現(xiàn)高性能。
• 芯片通過4000萬小時以上的設備可靠性測試和超過5 GWh的功率轉換測試，可提供嚴謹可靠的數(shù)據(jù)，并可透過GaN構建更小、更輕、更高效的電源系統(tǒng)。
• TI 的GaN電源解決方案同C2000™實時MCU相結合，可提供復雜的時延敏感處理、精確控制及軟件與外設的可擴展性等眾多優(yōu)勢。此外，這些MCU可支持不同的電源拓撲設計和高開關頻率，更大限度提升電源效率，充分發(fā)揮基于GaN的服務器供電單元的潛力。