（全球TMT2021年9月23日訊）德州儀器（TI）宣布其氮化鎵（GaN）技術(shù)和 C2000™ 實(shí)時(shí)微控制器（MCU），輔以臺(tái)達(dá)（Delta Electronics）長(zhǎng)期耕耘之電力電子核心技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）。與使用傳統(tǒng)架構(gòu)的企業(yè)服務(wù)器電源供應(yīng)器相比，臺(tái)達(dá)研發(fā)的服務(wù)器電源供應(yīng)器將功率密度提高了80%，效率提升1%。能源政策機(jī)構(gòu)Energy Innovation數(shù)據(jù)顯示，效率每提升1%，相當(dāng)于每個(gè)數(shù)據(jù)中心節(jié)省了1兆瓦（或800戶家庭用電）的總所有成本。

臺(tái)達(dá)為全球客戶提供電源管理與散熱解決方案，同時(shí)也是AC-DC、DC-DC與DC-AC電源系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，產(chǎn)品應(yīng)用范圍廣泛，包括IT設(shè)備、電動(dòng)車(chē)充電與工業(yè)電源等。TI在GaN技術(shù)以及C2000™ MCU實(shí)時(shí)控制解決方案上長(zhǎng)達(dá)十年的投資有目共睹，是臺(tái)達(dá)長(zhǎng)期合作的重要伙伴。此次TI采用創(chuàng)新的半導(dǎo)體制造工藝來(lái)制造硅基氮化鎵和集成電路，助力臺(tái)達(dá)等企業(yè)打造差異化應(yīng)用，更高效地為世界各地的數(shù)據(jù)中心供電。

集成的GaN 芯片提供更高的效率、功率密度和系統(tǒng)可靠性

• 在高電壓、高功率工業(yè)應(yīng)用中，TI的GaN FET集成了快速開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器，以及內(nèi)部保護(hù)和溫度感測(cè)功能，能夠更好地在有限的電路板空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能。
• 芯片通過(guò)4000萬(wàn)小時(shí)以上的設(shè)備可靠性測(cè)試和超過(guò)5 GWh的功率轉(zhuǎn)換測(cè)試，可提供嚴(yán)謹(jǐn)可靠的數(shù)據(jù)，并可透過(guò)GaN構(gòu)建更小、更輕、更高效的電源系統(tǒng)。
• TI 的GaN電源解決方案同C2000™實(shí)時(shí)MCU相結(jié)合，可提供復(fù)雜的時(shí)延敏感處理、精確控制及軟件與外設(shè)的可擴(kuò)展性等眾多優(yōu)勢(shì)。此外，這些MCU可支持不同的電源拓?fù)湓O(shè)計(jì)和高開(kāi)關(guān)頻率，更大限度提升電源效率，充分發(fā)揮基于GaN的服務(wù)器供電單元的潛力。