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[導(dǎo)讀]10月7日消息,當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三,三星電子宣布公司新一代3納米芯片制造技術(shù)將推遲到2022年上市,同時(shí)稱更先進(jìn)的2納米芯片制造技術(shù)將在2025年問世。


10月7日消息,當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三,三星電子宣布公司新一代3納米芯片制造技術(shù)將推遲到2022年上市,同時(shí)稱更先進(jìn)的2納米芯片制造技術(shù)將在2025年問世。

三星曾計(jì)劃于今年開始用3納米制程工藝生產(chǎn)處理速度更快、能效更高的芯片產(chǎn)品。周三公司在“三星代工論壇”(Samsung Foundry Forum)上表示,轉(zhuǎn)向全新制造技術(shù)的難度很大,3納米制程芯片將在2022年上半年上市。這意味著三星客戶將要到明年才能用上這一前沿技術(shù)。

三星芯片代工的客戶包括手機(jī)芯片設(shè)計(jì)公司高通、服務(wù)器制造商IBM和三星自家產(chǎn)品。

不過好消息是,三星宣布將在2025年下半年實(shí)現(xiàn)2納米芯片制造技術(shù)。三星表示,這將使芯片在性能、能效以及電子產(chǎn)品小型化向前繼續(xù)邁進(jìn)。

臺(tái)積電今年8月份也宣布推遲上線3納米芯片制造技術(shù),這一計(jì)劃的延遲使得英特爾壓力有所緩解。目前英特爾正在推出自家代工業(yè)務(wù),旨在奪回被臺(tái)積電和三星拿走的市場(chǎng)份額。

隨著個(gè)人電腦銷量的不斷增長(zhǎng)、智能手機(jī)的普及以及數(shù)據(jù)中心的在線服務(wù)量不斷上升,市場(chǎng)對(duì)芯片的需求已經(jīng)超過產(chǎn)能。全球范圍內(nèi)的芯片短缺影響到依賴電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈的個(gè)人電腦、游戲機(jī)、汽車等產(chǎn)品銷售。

除此之外,臺(tái)積電今年 8 月份也宣布推遲上線 3 納米芯片制造技術(shù)。這一計(jì)劃的延遲使得英特爾壓力有所緩解。目前英特爾正在推出自家代工業(yè)務(wù),旨在奪回被臺(tái)積電和三星拿走的市場(chǎng)份額。但是不得不說,芯片業(yè)務(wù)正在面臨著極大的壓力。隨著個(gè)人電腦銷量的不斷增長(zhǎng)、智能手機(jī)的普及以及數(shù)據(jù)中心的在線服務(wù)量不斷上升,市場(chǎng)對(duì)芯片的需求已經(jīng)超過產(chǎn)能。全球范圍內(nèi)的芯片短缺影響到依賴電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈的個(gè)人電腦、游戲機(jī)、汽車等產(chǎn)品銷售。

三星代工事業(yè)部高級(jí)副總裁 Shawn Han 說,芯片短缺問題要到 2022 年才會(huì)緩解。隨著芯片變得越來越復(fù)雜,通常也會(huì)越來越貴,這就是為什么許多客戶堅(jiān)持使用格芯等公司更老更便宜制造工藝生產(chǎn)的芯片。但三星認(rèn)為,其可以降低全新制造技術(shù)的成本。

不過好消息是,三星宣布將在2025年下半年實(shí)現(xiàn)2納米芯片制造技術(shù)。三星表示,這將使芯片在性能、能效以及電子產(chǎn)品小型化向前繼續(xù)邁進(jìn)。

臺(tái)積電今年8月份也宣布推遲上線3納米芯片制造技術(shù)。這一計(jì)劃的延遲使得英特爾壓力有所緩解。目前英特爾正在推出自家代工業(yè)務(wù),旨在奪回被臺(tái)積電和三星拿走的市場(chǎng)份額。

芯片業(yè)務(wù)面臨的壓力極大。隨著個(gè)人電腦銷量的不斷增長(zhǎng)、智能手機(jī)的普及以及數(shù)據(jù)中心的在線服務(wù)量不斷上升,市場(chǎng)對(duì)芯片的需求已經(jīng)超過產(chǎn)能。全球范圍內(nèi)的芯片短缺影響到依賴電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈的個(gè)人電腦、游戲機(jī)、汽車等產(chǎn)品銷售。

三星代工事業(yè)部高級(jí)副總裁Shawn Han說,芯片短缺問題要到2022年才會(huì)緩解。他表示,“盡管我們正在投資,其他代工廠商也在增加產(chǎn)能,但在我們看來,這一狀況會(huì)再持續(xù)六到九個(gè)月?!?

三星電子表示,因?yàn)镚AA架構(gòu)需要一套不同于臺(tái)積電和英特爾使用的FinFET架構(gòu)的設(shè)計(jì)和鑒定工具,該公司采用了來自新思科技(Synopsys)的Fusion Design Platform。該流程的物理設(shè)計(jì)套件(PDK)已于2019年5月發(fā)布,工具已于去年通過流程認(rèn)證。三星電子與新思科技的合作,旨在加速為GAA流程提供高度優(yōu)化的參考方法。

參考設(shè)計(jì)流程包括一個(gè)集成的、支持golden-signoff的RTL-to-GDSII設(shè)計(jì)流程以及golden-signoff產(chǎn)品。該流程針對(duì)的是希望將3納米GAA工藝用于高性能計(jì)算、5G、移動(dòng)和高級(jí)人工智能應(yīng)用中的芯片的客戶。

三星電子代工業(yè)務(wù)三星代工(Samsung Foundry)設(shè)計(jì)技術(shù)團(tuán)隊(duì)副總裁Sangyun Kim表示:“三星代工是推動(dòng)下一階段行業(yè)創(chuàng)新的核心,我們不斷進(jìn)行基于工藝技術(shù)的發(fā)展,以滿足專業(yè)和廣泛市場(chǎng)應(yīng)用日益增長(zhǎng)的需求。我們最新的、先進(jìn)的3納米GAA工藝得益于我們與新思科技的廣泛合作,以及Fusion Design Platform的加速準(zhǔn)備,使3納米工藝的承諾能夠有效實(shí)現(xiàn),這是這些關(guān)鍵聯(lián)盟的重要性和利益的證明?!?

三星電子表示,GAA架構(gòu)改善了靜電特性,提高了性能,降低了功耗,并增加了基于納米片寬控制的額外矢量的新優(yōu)化機(jī)會(huì)的好處。與成熟的電壓閾值調(diào)諧配合使用,這為優(yōu)化功率、性能或面積設(shè)計(jì)提供了更多方法(PPA)。設(shè)計(jì)流程還包括支持復(fù)雜的布局方法和布局規(guī)則、新的布線規(guī)則和增加的可變性。該流程基于單一數(shù)據(jù)模型,并使用通用優(yōu)化架構(gòu),而不是組合點(diǎn)工具。

三星這一次秀出3納米技術(shù),肯定是要給臺(tái)積電一個(gè)下馬威,不過臺(tái)灣專家的一句話,就揭穿了三星的老底。

在不久前的技術(shù)論壇上臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)3 納米制程將照時(shí)程于2022 下半年正式量產(chǎn)。而作為競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的韓國(guó)三星也在積極加快3納米量產(chǎn)進(jìn)程。

據(jù)外媒報(bào)道,三星日前表示,采用GAA 架構(gòu)的3 納米制程技術(shù)已正式流片(Tape Out),對(duì)全球只有這兩家能做到5 納米制程以下的半導(dǎo)體晶圓代工廠來說,較勁意味濃厚。

外媒報(bào)道指出,三星3 納米制程流片進(jìn)度是與新思科技(Synopsys)合作,加速為GAA 架構(gòu)的生產(chǎn)流程提供高度優(yōu)化參考方法。因三星3 納米制程不同于臺(tái)積電或英特爾的FinFET 架構(gòu),而是GAA 架構(gòu),三星需要新設(shè)計(jì)和認(rèn)證工具,因此采用新思科技的Fusion DesignPlatform。制程技術(shù)的物理設(shè)計(jì)套件(PDK)已在2019年5 月發(fā)布,并2020 年通過制程技術(shù)認(rèn)證。預(yù)計(jì)此流程使三星3 納米GAA 結(jié)構(gòu)制程技術(shù)用于高性能運(yùn)算(HPC)、5G、行動(dòng)和高階人工智能(AI)應(yīng)用芯片生產(chǎn)。

三星代工設(shè)計(jì)技術(shù)團(tuán)隊(duì)副總裁Sangyun Kim 表示,三星代工是推動(dòng)下一階段產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的核心。三星將藉由不斷發(fā)展技術(shù)制程,滿足專業(yè)和廣泛市場(chǎng)增長(zhǎng)的需求。三星電子最新且先進(jìn)的3 納米GAA 制程技術(shù),受惠于與新思科技合作,F(xiàn)usion Design Platform 加速準(zhǔn)備,有效達(dá)成3 納米制程技術(shù)承諾,證明關(guān)鍵聯(lián)盟的重要性和優(yōu)點(diǎn)。

有網(wǎng)友指出,三星這種“噱頭”的宣傳早就有了,這并不是第一次。早在2015年,當(dāng)年iPhone 6s有三星和臺(tái)積電版兩個(gè)本,三星版本夸大了自己14nm的工藝,而臺(tái)積電沒有這個(gè)工藝,但結(jié)果卻在續(xù)航、發(fā)熱等技術(shù)上,被臺(tái)積電碾壓,購(gòu)買三星版本的iPhone 6s,血虧!



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