中國，2021 年 10 月 19 日——意法半導體的 STGAP2SiCSN是為控制碳化硅 MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器，采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制。

SiC 功率技術(shù)被廣泛用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，SiC驅(qū)動器STGAP2SiCSN可以簡化節(jié)能型電源系統(tǒng)、驅(qū)動和控制電路的設(shè)計，節(jié)省空間，并增強穩(wěn)健性和可靠性。目標應用包括電動汽車充電系統(tǒng)、開關(guān)式電源、高壓功率因數(shù)校正器 (PFC)、DC/DC 變換器、不間斷電源 (UPS)、太陽能發(fā)電、電機驅(qū)動設(shè)備、風扇、工廠自動化、家用電器 、電磁爐。

STGAP2SiCSN 在柵極驅(qū)動通道和低壓控制之間有電流隔離，在高壓軌上可以耐受高達 1700V 的電壓。輸入到輸出傳播時間小于 75ns，確保 PWM 控制精度高?！?00V/ns共模瞬變抗擾度 (CMTI) 保證開關(guān)可靠性。內(nèi)置保護功能包括欠壓鎖定和熱關(guān)斷，欠壓鎖定 (UVLO)通過閾值電壓防止 SiC 電源開關(guān)在低能效或不安全條件下工作。在檢測到結(jié)溫過高后，熱關(guān)斷降低驅(qū)動器的兩個輸出。

新產(chǎn)品提供兩種配置選擇，獨立多輸出配置可以使用外部電阻單獨優(yōu)化導通和關(guān)斷時間，而單輸出配置具有源米勒鉗位功能，可以增強高頻硬開關(guān)應用的穩(wěn)健性，利用米勒鉗位防止功率開關(guān)過度振蕩。

STGAP2SiCSN 邏輯輸入兼容低達 3.3V 的 TTL 和 CMOS 邏輯信號，簡化了與主微控制器或 DSP處理器的連接。在高達 26V 的柵極驅(qū)動電壓下，驅(qū)動器的最大吸電流和拉電流均為 4A。片上集成的自舉二極管簡化了設(shè)計并提高了可靠性，關(guān)斷模式有獨立輸入引腳，有助于大限度地降低系統(tǒng)功耗。

STGAP2SiCSNTR 現(xiàn)已上市，采用 5mm x 4mm 寬體SO-8N 封裝。