CMOS看，由于制造工藝的改進(jìn)，CMOS電路的性能有可能超越TTL而成為占主導(dǎo)地位的邏輯器件 。CMOS電路的工作速度可與TTL相比較，而它的功耗和抗干擾能力則遠(yuǎn)優(yōu)于TTL。此外，幾乎所有的超大規(guī)模存儲器件 ，以及PLD器件都采用CMOS藝制造，且費用較低。

早期生產(chǎn)的CMOS門電路為4000系列 ，隨后發(fā)展為4000B系列。當(dāng)前與TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可與TTL器件交換使用。下面首先討論CMOS反相器，然后介紹其他CMO邏輯門電路。

MOS管結(jié)構(gòu)圖

MOS管主要參數(shù)：

1.開啟電壓VT

·開啟電壓(又稱閾值電壓)：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;

·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V;

·通過工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流輸入電阻RGS

·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

·這一特性有時以流過柵極的柵流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。

3. 漏源擊穿電壓BVDS

·在VGS=0(增強(qiáng)型)的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS