EPC推出了40 V、1.3 m?的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN® FET)，器件型號(hào)為EPC2067，專為設(shè)計(jì)人員而設(shè)。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應(yīng)用。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者。新推的EPC2067(典型值為 1.3 mΩ、40 V)擴(kuò)大了可選的低壓器件，可立即供貨。

EPC2067非常適合需要高功率密度的應(yīng)用，包括48 V-54 V輸入服務(wù)器。較低的柵極電荷和零反向恢復(fù)損耗可實(shí)現(xiàn)1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在9.3 mm2 的微小占位面積內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高功率密度。

EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow 表示：“EPC2067器件專為從40 V-60 V轉(zhuǎn)至12 V的LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器的次級(jí)側(cè)而設(shè)計(jì)。與上一代40 V的GaN FET相比，這款40 V器件具有更高的性能和成本效益，從而讓設(shè)計(jì)師可以在更低的成本下，實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度”。

開發(fā)板

EPC90138開發(fā)板的最大器件電壓為40 V、最大輸出電流為40 A，配備板載柵極驅(qū)動(dòng)器的半橋器件，采用了EPC2067 eGaN FET。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm) 的電路板專為實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計(jì)，并包含所有關(guān)鍵元件，讓工程師易于評(píng)估EPC2067器件。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN®)的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(LiDAR)、用于電動(dòng)運(yùn)輸、機(jī)器人和無人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外，宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。