（全球TMT2021年10月29日訊）瀾起科技宣布其DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該系列芯片是DDR5內(nèi)存模組的重要組件，包括寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器?(RCD)、數(shù)據(jù)緩沖器?(DB)、串行檢測(cè)集線器?(SPD Hub)、溫度傳感器?(TS) 和電源管理芯片?(PMIC)，可為DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等內(nèi)存模組提供整體解決方案。

瀾起科技這次推出的DDR5第一子代內(nèi)存接口芯片RCD/DB，支持的最高速率達(dá)4800Mbps，是DDR4最高速率的1.5倍；接口電壓低至1.1V，能耗更低；采用創(chuàng)新的信號(hào)校準(zhǔn)協(xié)議及均衡技術(shù)，大幅提高了內(nèi)存信號(hào)完整性。

瀾起科技首次推出了DDR5 PMIC、TS 及SPD Hub這三款配套芯片，可為DDR5內(nèi)存模組提供多通道電源及管理、多點(diǎn)溫度檢測(cè)、I3C串行總線及路由等輔助功能。這些配套芯片與內(nèi)存接口芯片一起，共同助力DDR5內(nèi)存模組在速度、容量、節(jié)能及可靠性等方面實(shí)現(xiàn)全面提升，滿(mǎn)足新一代服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)及便攜式電腦對(duì)內(nèi)存系統(tǒng)的更高要求。

10月27-28日，作為英特爾公司多年的生態(tài)伙伴，瀾起科技應(yīng)邀參加了英特爾舉辦的在線創(chuàng)新峰會(huì) (Intel Innovation)，并在英特爾官網(wǎng)布置虛擬展臺(tái)，以視頻、圖片和宣傳彩頁(yè)等形式向業(yè)界展示了這五款芯片及其應(yīng)用場(chǎng)景。