在單個半電橋封裝中結合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管

21ic訊 Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個半電橋封裝中結合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產品。

Cree CAS100H12AM1 1200V高頻碳化硅半電橋模塊是首款商用全碳化硅(SiC)電源模塊。 它還是首款在單個半電橋封裝中結合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的合格模塊。這款新的二元模塊擁有適合高頻工作的超低損耗和高耐用性。CAS100H12AM1的工作頻率最高可達100kHz，可在1200V阻斷電壓下提供100A電流處理能力。更高的工作頻率可實現(xiàn)緊湊而輕便的系統(tǒng)，而且可在系統(tǒng)中采用較為便宜的電感器和電容器。CAS100H12AM1非常適合工業(yè)應用，包括高功率轉換器、電機驅動器、太陽能轉換器、UPS和SMPS以及感應加熱。

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