國際整流器公司(IR)推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組,為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術(shù),還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關(guān)和熱特性,成為一個為高頻率 DC-DC 開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化的解決方案。
IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR 通過改善關(guān)鍵參數(shù)不斷提升功率 MOSFET 的性能。新款 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET 芯片組把低電荷及低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 與業(yè)界最低的柵極電阻 (Rg) 相結(jié)合,使傳統(tǒng)上由典型同步降壓轉(zhuǎn)換器的同步和控制接口產(chǎn)生的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗降到了最低?!?/p>
IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封裝提供低于1 mΩ 的導(dǎo)通電阻,使整個負(fù)載范圍可保持極高的效率。新器件配有單片集成式肖特基二極管,能夠減少與體二極管傳導(dǎo)相關(guān)的損耗,并能實(shí)現(xiàn)反向恢復(fù)損耗,進(jìn)一步提高解決方案的整體性能。IRF6798MPbF 還提供僅為 0.25 mΩ 的極低柵極電阻,避免了與 Cdv/dt 相關(guān)的擊穿。
IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具備低電荷和低導(dǎo)通電阻,可減少開關(guān)損耗及傳導(dǎo)損耗,還可為快速開關(guān)提供極低的柵極電阻。
根據(jù)最新預(yù)測,由于明年新冠疫苗的交付量幾乎減半,有史以來最賺錢的一些醫(yī)藥產(chǎn)品制造商將面臨收入下滑的局面。健康數(shù)據(jù)分析集團(tuán)Airfinity表示,輝瑞(Pfizer)、BioNTech和莫德納(Moderna)已開始提高疫...
關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)分析 TE RF NI傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷,因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字: MOSFET 數(shù)字開關(guān)該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個MOSFET和一個續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵磁電流,當(dāng)勵磁關(guān)閉時,續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時,使輸...
關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管