瑞薩電子株式會社日前宣布推出2款功率半導(dǎo)體器件——RJK0222DNS和RJK0223DNS。新產(chǎn)品采用超小型封裝，主要面向服務(wù)器與筆記本電腦的CPU，以及存儲器等產(chǎn)品的DC/DC轉(zhuǎn)換器（注釋1），并將于2010年8月起在日本發(fā)售樣品。

新推出的2款新型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品均采用了工藝先進(jìn)的第11代小型、低損耗功率MOSFET，并將組成DC/DC轉(zhuǎn)換器的一對功率MOSFET（注釋2）整合于同一封裝內(nèi)。因此它們不僅可實(shí)現(xiàn)安裝面積比瑞薩電子早期的功率MOSFET產(chǎn)品小一半的3.2mm × 4.8mm × 0.8mm（最大值）超小型封裝尺寸，還可實(shí)現(xiàn)高達(dá)95.2%的業(yè)界最高效率，使功耗得到了大幅降低。

目前，2款新產(chǎn)品樣品的單價均為50日元，并計(jì)劃于2010年12月起批量生產(chǎn)。預(yù)計(jì)到2011年7月以后，2款產(chǎn)品月產(chǎn)量將達(dá)到合計(jì)200萬個。

通常，由于筆記本電腦、服務(wù)器和圖形卡等信息與通信產(chǎn)品中的CPU、GPU、存儲器和ASIC等器件所需要的電源電壓低于電池提供的電壓，因此這些產(chǎn)品一般會內(nèi)置多個用于降壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器。而隨著信息產(chǎn)品等的日趨小型化與薄型化，它們所搭載的DC/DC轉(zhuǎn)換器也不斷朝更小、更薄、更高效的方向發(fā)展。

為了滿足上述需求，瑞薩電子在原有技術(shù)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步推進(jìn)其功率MOSFET產(chǎn)品的小型化和高散熱化發(fā)展，并推出了本次將一對功率MOSFET搭載于一個封裝內(nèi)的全新超小型產(chǎn)品。

新產(chǎn)品的主要特性如下：

（1）安裝面積小于原有產(chǎn)品一半，從而實(shí)現(xiàn)了更小巧的高密度電源設(shè)計(jì)
在尺寸為3.2mm × 4.8mm的超小型HWSON3046（瑞薩電子封裝編號）封裝內(nèi)使用了一對功率MOSFET來實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換。安裝面積與瑞薩電子早期尺寸為5.1mm × 6.1mm的WPAK（瑞薩電子封裝編號）封裝相比，小了約一半。這樣就能夠設(shè)計(jì)出更小巧、安裝密度更高的DC/DC轉(zhuǎn)換器。

（2）實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的效率，大大降低了電源功耗
在300kHz的開關(guān)頻率下，瑞薩電子第11代低損耗功率MOSFET實(shí)現(xiàn)了目前業(yè)內(nèi)最高水平95.2%的高效率（輸入電壓：12V，輸出電壓：3.3V），這使電源的總效率得到進(jìn)一步提高。

此外，在用于實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換的一對功率MOSFET中，還在用于實(shí)現(xiàn)同步整流（低端）的功率MOSFET上整合了片上肖特基勢壘二極管。這使DC/DC轉(zhuǎn)換器在死區(qū)時間（注釋3）內(nèi)，功率MOSFET到肖特基勢壘二極管的電流轉(zhuǎn)換時間得以縮短，從而降低了功率損耗。更值得一提的是，新產(chǎn)品還可有效抑制功率MOSFET接通時的電壓跳變，從而降低電磁噪聲。

和早期的WPAK封裝一樣，HWSON3046封裝具有出色的散熱性能，而器件下所配備的壓料墊，能夠?qū)⒐β蔒OSFET工作時所產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至印刷電路板，這使功率MOSFET能夠處理更大的電流。

今后，瑞薩電子將繼續(xù)開發(fā)可同時搭載2個芯片的HWSON3046封裝，并不斷推出滿足DC/DC轉(zhuǎn)換器所需電源方式的各類產(chǎn)品。