0 引言
    隨著數據處理系統(tǒng)智能化程度的越來越高，經常需要在無人干預的情況下，自動加載某些數據或參數到系統(tǒng)工作單元，以保證系統(tǒng)的正常工作。這些數據或參數通常都以數據文件形式保存在大容量、低功耗、可快速重復擦寫的存儲器中，而且掉電后數據不丟失，以便用戶根據需要隨時讀取。S29AL016D70能很好的滿足這些需求。

1 閃存S29AL016D簡介
1．1 主要性能
    S29AL016D70是Spansion公司生產的容量為2Mx8 bit／1 Mx16 bit的閃存器件，該器件采用3 V供電，訪問時間為70 ns，工作溫度范圍為-40℃～125℃，靜態(tài)電流200 nA，讀數據電流為9 mA，擦寫數據電流為20 mA可擦寫次數在一百萬次以上，具有存儲容量大，速度快，功耗低等優(yōu)點。S29AL016D的芯片邏輯圖如圖1所示。其中，A0～A19和D0～D15分別為地址線和數據線，CE為片選信號，低有效；OE為輸出使能信號，低有效；WE是寫選通信號，低有效；BYTE為8位或16位數據模式選擇端，低電平為8位，高電平為16位。采用8位模式時，DO～D7為有效數據線，D15為地址線：RY/BY為準備好和忙狀態(tài)輸出。S29AL016D70內部包括35個數據段(Sector)，其中段0到段30為64 KB，段31為32KB，段32、33為8 KB，段34為16 KB。
1．2 操作模式
    S29AL016D70的操作模式如表1所列，實際工作中，經常用到的操作包括片擦除、段擦除、寫入數據、讀出數據等。

2 應用設計
2．1 硬件設計
    根據設計需要，可利用數字信號處理器DSP通過雙口RAM和232串行通信獲得數據，并將數據保存在FLASH對應地址。

    FLASH的數據讀寫有8位數據讀寫和16位數據讀寫兩種方式。
    利用232串口通信時，收發(fā)的數據大多都是8位。若在16位數據工作模式下，直接寫入要浪費一半存儲區(qū)，否則需將兩個8位字節(jié)數據拼成一個16位字數據再寫入，也會消耗很多工作時間，而采用8位數據工作模式，則不需要進行數據拼接，使用比較方便。因此，實際工作中，大多采用8位數據工作模式。同樣，雙口RAM也采用8位數據的雙口RAM，設計中可使用IDT7132。圖2所示是其硬件連接原理圖。

    工作中，若采用16位數據工作模式，只需將FLASH芯片的BYTE腳接至高電平即可。

2．2 操作模式
    要向FLASH寫入數據，必須先對FLASH進行擦除操作。擦出操作可通過給FIASH芯片寫入擦除指令時序來完成，擦除的結果是將FLASH存儲區(qū)中所有數據變?yōu)?xff(8位)或0xffff(16位)，這樣，可以方便地寫入數據。[!--empirenews.page--]
    擦除操作分為片擦除和段擦除兩種。片擦除為整片擦除，段擦除只擦除指定段。為使用方便，在擦除某段數據時，應保證其他段數據不受影響。因此，軟件多采用段擦除模式。其代碼如下：
    段擦除函數(flash基地址為0xb0000000)；
    void erase_flash(unsigned int sector_num)／／sector為段號片擦除函數可參照編寫

    {

    將數據保存在FLASH中后，若要對擦除后的段數據地址執(zhí)行寫操作，也可以通過給芯片寫入編程操作時序來完成。寫操作的結果是將地址總線指定地址的數據相應位1變?yōu)?，通俗的說，就是擦除后的數據各位都為1，寫操作是將待寫入數據的不為1的位變?yōu)?。其寫操作函數如下：

    進行擦除和寫入操作時，應在進行寫入時序操作時，對寄存器的偏移地址左移一位進行操作，這是因為8位數據工作模式下，芯片地址線的最低位為A-1，而處理器地址線的最低位為A0；若是16位數據操作模式，尋址寄存器時，則不需要進行移位操作。
    此外，16位數據操作模式和8位數據操作模式在編寫指令時序時也有區(qū)別，即寫入寄存器的指令的位數要和數據位數相同，如8位指令為：*(int*)(Oxb0000000+(0x555<<1))=0x80，而16位指令應為：*(int*)(0xb0000000+0x555)=0x8080。

3 結束語
    應用本文的設計可以成功地完成對FLASH的各種操作，實現向FLASH中保存數據的功能。事實上，各廠家生產的FLASH在性能上和使用方法都有所不同，S29AL016D除了速度快、容量大之外，還有一個特點就是可選擇性地進行8位或16位數據操作。但在軟硬件設計上要做些相應改變，筆者根據工作實踐寫出一點體會，希望能給同行提供幫助。