在講解電感的儲(chǔ)能方式之前，先看看電容是如何儲(chǔ)能的。在項(xiàng)目二的視頻中可以了解到，電容儲(chǔ)存的能量時(shí)電壓，而在能量的角度上，我們可以把電壓稱之為“電場(chǎng)”。故，電容是一個(gè)儲(chǔ)存電場(chǎng)的物質(zhì)。

摘要:隨著我國(guó)經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展,人們對(duì)用電量的需求也在不斷增長(zhǎng),電能作為生產(chǎn)生活的必需消耗品,部分用電群體在利益的驅(qū)使下,不惜違反相關(guān)法律法規(guī)規(guī)定,對(duì)電力資源進(jìn)行非法竊取,給國(guó)家和供電企業(yè)帶來(lái)了極大的經(jīng)濟(jì)損失,造成了很多安...

"解鎖"車主便捷充電新體驗(yàn) 無(wú)錫2022年5月20日 /美通社/ -- 雙碳時(shí)代，人們的出行更加講究低碳、環(huán)保。其中，私家車領(lǐng)域隨著新能源汽車保有量的持續(xù)增加，以充電樁為代表的的"...

國(guó)際指數(shù)將UTS列入努力邁向更加可持續(xù)的未來(lái)的一流大學(xué)。 悉尼2022年5月3日 /美通社/ -- 悉尼科技大學(xué)(UTS)在2022年《泰晤士高等教育》大學(xué)影響力排名中，被評(píng)為全球第15名和澳大利亞第2名。UTS在應(yīng)對(duì)...

電工中一般認(rèn)為電阻率超過(guò)10歐·厘米的物質(zhì)便歸于電介質(zhì)。電介質(zhì)的帶電粒子是被原子、分子的內(nèi)力或分子間的力緊密束縛著，因此這些粒子的電荷為束縛電荷。在外電場(chǎng)作用下，這些電荷也只能在微觀范圍內(nèi)移動(dòng)，產(chǎn)生極化。在靜電場(chǎng)中，電介...

本文針對(duì)EMC整改中常用的問(wèn)題進(jìn)行、探討，力圖拋磚引玉進(jìn)行討論。首先，要根據(jù)實(shí)際情況對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行診斷，分析其干擾源所在及其相互干擾的途徑和方式。再根據(jù)分析結(jié)果，有針對(duì)性的進(jìn)行整改。一般來(lái)說(shuō)主要的整改方法有如下幾種。1、減弱...

快速讀寫(xiě)快速頁(yè)式工作技術(shù)(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的快速讀寫(xiě)技術(shù))：讀寫(xiě)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器同一行的數(shù)據(jù)時(shí)，其行地址第一次讀寫(xiě)時(shí)鎖定后保持不變，以后讀寫(xiě)該行多列中的數(shù)據(jù)時(shí)，僅鎖存列地址即可，省去了鎖存行地址的時(shí)間，加快了主存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)速度。

存儲(chǔ)單位：在存儲(chǔ)器中有大量的存儲(chǔ)元，把它們按相同的位劃分為組，組內(nèi)所有的存儲(chǔ)元同時(shí)進(jìn)行讀出或?qū)懭氩僮鳎@樣的一組存儲(chǔ)元稱為一個(gè)存儲(chǔ)單元。一個(gè)存儲(chǔ)單元通?？梢源娣乓粋€(gè)字節(jié);存儲(chǔ)單元是CPU訪問(wèn)存儲(chǔ)器的基本單位。

局部放電（partial discharge，簡(jiǎn)稱PD）現(xiàn)象，通常主要指的是高壓電氣設(shè)備絕緣層在足夠強(qiáng)的電場(chǎng)作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電，某個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度一旦達(dá)到其介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí)，該區(qū)域就會(huì)出現(xiàn)放電現(xiàn)象。這種放電以僅造成...

摘要：富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司近日宣布推出其FerVID家族用于RFID標(biāo)簽的一款新的芯片一B89R112。該芯片用于高頻RFID標(biāo)簽，并帶9KB的FRAM內(nèi)存。FerVID家族產(chǎn)品使用鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)，具有寫(xiě)...