1 引言

       閃速存儲(chǔ)器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性，可將其作為具有一定靈活性的只讀存儲(chǔ)器（ROM）使用。

       現(xiàn)在的數(shù)字電路應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，經(jīng)常遇到大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)問(wèn)題。Flash由于容量大、存儲(chǔ)速度快、體積小、功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn)，而成為應(yīng)用系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件的首選。由于在研制實(shí)時(shí)信號(hào)處理系統(tǒng)時(shí)，需要一塊大容量的Flash來(lái)存儲(chǔ)坐標(biāo)變換的數(shù)據(jù)作查找表，因此面臨一個(gè)如何對(duì)Flash進(jìn)行編程，將數(shù)據(jù)寫入Flash的問(wèn)題。由于我們選用的Flash芯片為SST39SF010/020，是最新生產(chǎn)的型號(hào)，需要自己開(kāi)發(fā)編程器來(lái)滿足設(shè)計(jì)需要，達(dá)到既經(jīng)濟(jì)又實(shí)用的目的。這一型號(hào)的Flash采用的是標(biāo)準(zhǔn)的5V電壓供電，器件在命令控制下自己產(chǎn)生內(nèi)部的擦除電壓Vpp，從而完成數(shù)據(jù)的寫入和芯片的擦除等各種功能。而FPGA這種大規(guī)模的可編程器件十分適合邏輯電路的設(shè)計(jì)，能方便地控制和產(chǎn)生 Flash編程操作中的各種控制命令，實(shí)現(xiàn)編程器的功能。 

       2 Flash的性能參數(shù)和操作時(shí)序

       以最新的Flash芯片型號(hào)SST39SF010/020為例，容量為1/2Mbit（×8）。 它的主要性能有：

       ● 單一的5.0V電壓讀寫操作；

       ● 高可靠性，超過(guò)100年的數(shù)據(jù)保持能力；

       ● 快速擦除和字節(jié)編程功能

       ——扇區(qū)擦除時(shí)間典型值只需7ms；

       ——片擦除時(shí)間典型值只需15ms；

       ——字節(jié)編程需時(shí)間典型值只需20微秒；

       ——片重寫時(shí)間需3ms（SST39SF010）

       ● 片內(nèi)部產(chǎn)生Vpp編程電壓，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)讀寫時(shí)序；

       ● I/O兼容TTL；

       各引腳功能：

       Ams～A0：地址輸入 ——提供存儲(chǔ)器地址；

       DQ7～DQ0：數(shù)據(jù)輸入/輸出 ——在讀時(shí)序時(shí)輸出數(shù)據(jù)，在寫時(shí)序時(shí)接收輸入的數(shù)據(jù)；

       CE#：片選使能——當(dāng)CE#為低電平有效；

       OE#：輸出使能——選通輸出緩存器；

       WE#：寫使能——控制寫時(shí)序；

       VDD：接5V電源；

       VSS：接地。

       在對(duì)Flash進(jìn)行編程操作前，必須保證存儲(chǔ)單元為空。如果不為空，就必須先對(duì)Flash芯片進(jìn)行擦除操作。由于Flash采用了模塊分區(qū)的陣列結(jié)構(gòu)，使得各個(gè)存儲(chǔ)模塊既可以整個(gè)芯片一齊被擦除，還可以使各個(gè)存儲(chǔ)模塊被獨(dú)立的分別擦除。只需在地址和數(shù)據(jù)端寫入不同的操作命令即可實(shí)現(xiàn)不同的擦除操作。

       SST39SF010的編程操作分三步驟：第一步是連續(xù)載入三字節(jié)命令的軟件數(shù)據(jù)保護(hù)操作，第二步是寫入字節(jié)地址和字節(jié)數(shù)據(jù)，在編程操作過(guò)程中，地址是在CE#或WE#的下降沿時(shí)有效，而數(shù)據(jù)則是在CE#或WE#的上升沿時(shí)有效；第三步是芯片內(nèi)部的編程操作，該操作在CE#或WE#的第四個(gè)上升沿有效，隨后該內(nèi)部編程操作在30微秒內(nèi)即可完成。
       FLASH的編程操作是自動(dòng)字節(jié)操作，編程時(shí)要特別注意編程時(shí)間參數(shù)和使用的命令集。編程和擦除時(shí)鐘周期的定時(shí)參數(shù)如表所示。[!--empirenews.page--]3 FPGA實(shí)現(xiàn)Flash編程器的設(shè)計(jì)

       Flash編程器的關(guān)鍵是要保證Flash地址和數(shù)據(jù)信號(hào)在時(shí)序上的嚴(yán)格要求，由SST39SF010的編程和擦除周期時(shí)序參數(shù)得知，它的地址或數(shù)據(jù)信號(hào)的建立和保持時(shí)間的最小時(shí)鐘周期僅為30ns。為此，我們采用了40MHz的晶振作為FPGA的驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘，它的最小時(shí)鐘周期為25ns，完全可滿足最小的時(shí)間周期要求。

       采用FPGA來(lái)實(shí)現(xiàn)Flash編程器，主要是如何對(duì)Flash進(jìn)行寫操作，利用VHDL語(yǔ)言編寫的寫操作進(jìn)程表示如下：

       實(shí)現(xiàn)一個(gè)控制功能，可以用有限狀態(tài)機(jī)實(shí)現(xiàn)，也可以用CPU實(shí)現(xiàn)，二者相比，前者性能遠(yuǎn)高于后者。因?yàn)?，在Von Neumann結(jié)構(gòu)的CPU中，需要許多操作（例如取數(shù)和執(zhí)行）和部件（例如數(shù)據(jù)通路和ALU寄存器）。而狀態(tài)機(jī)中，狀態(tài)存儲(chǔ)在多個(gè)觸發(fā)器中，表示行為的代碼存儲(chǔ)在門級(jí)網(wǎng)絡(luò)中。對(duì)于通常的一條選擇判斷語(yǔ)句，如果用CPU實(shí)現(xiàn)，一般需要10～20條機(jī)器指令，其執(zhí)行時(shí)間與CPU的速度有關(guān)。如果由門和觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)，則執(zhí)行時(shí)間為一個(gè)時(shí)鐘周期。因此用VHDL實(shí)現(xiàn)的狀態(tài)機(jī)的控制性能要優(yōu)于CPU實(shí)現(xiàn)的方案。 

       如上述程序，在編程器的寫操作進(jìn)程中，我們使用Moore型狀態(tài)機(jī)，它最大的特點(diǎn)是輸出僅是狀態(tài)向量的函數(shù)，即Moore狀態(tài)機(jī)的輸出僅和當(dāng)前狀態(tài)（現(xiàn)態(tài)）有關(guān)。在寄存器轉(zhuǎn)移級(jí)的有限狀態(tài)機(jī)中包括狀態(tài)進(jìn)程和組合進(jìn)程兩部分。

       狀態(tài)進(jìn)程：狀態(tài)進(jìn)程對(duì)狀態(tài)機(jī)的時(shí)鐘信號(hào)敏感，當(dāng)時(shí)鐘發(fā)生有效跳變時(shí)，狀態(tài)機(jī)的狀態(tài)發(fā)生變化，由次態(tài)變?yōu)楝F(xiàn)態(tài)。本例中，將寫操作分成900個(gè)狀態(tài)，狀態(tài)0初始化各輸出信號(hào)，狀態(tài)1～5執(zhí)行第一個(gè)控制命令，狀態(tài)7—10執(zhí)行如第二個(gè)控制命令，狀態(tài)12～15執(zhí)行第三個(gè)控制命令，狀態(tài)17～ 20給出要寫入的地址和數(shù)據(jù)，狀態(tài)21～900保持控制信號(hào)，是芯片內(nèi)部編程時(shí)間。 組合進(jìn)程：組合進(jìn)程就根據(jù)當(dāng)前狀態(tài)（現(xiàn)態(tài)）給輸出信號(hào)賦值，并決定下一狀態(tài)（次態(tài)）。在本例中，狀態(tài)機(jī)根據(jù)不同的狀態(tài)對(duì)CE#、OE#、 WE、地址、數(shù)據(jù)等Flash控制信號(hào)進(jìn)行賦值，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)Flash的控制功能。

       但是每執(zhí)行一次寫操作，只能寫入一個(gè)地址單元里的8bit數(shù)據(jù)，如果按照這個(gè)方法，完成整個(gè)Flash芯片1Mbit數(shù)據(jù)的寫入就需要重復(fù)執(zhí)行寫操作 128K次，這樣既麻煩又浪費(fèi)時(shí)間。我們選用的Xilinx公司SpartanⅡ系列FPGA，提供片上雙端口同步讀/寫RAM塊，每塊RAM容量為4096bit。塊RAM的每個(gè)端口可獨(dú)立配置為讀/寫端口、讀端口或?qū)懚丝?，同時(shí)還能配置為任何想要的數(shù)據(jù)帶寬。因此塊RAM可使FPGA設(shè)計(jì)者的設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)單，可以把塊RAM配置成ROM、RAM、FIFO等多種元件，具有使用方便、性能優(yōu)越等特點(diǎn)，是一種十分高效的內(nèi)部存儲(chǔ)器解決方案。因此我們采用FPGA的塊RAM作為內(nèi)部數(shù)據(jù)緩沖器，以提高 Flash寫操作的速度和效率。

       在本例中，使用內(nèi)部塊RAM產(chǎn)生一個(gè)32Kbit 的ROM 元件，程序當(dāng)中直接引用和映射該元件，將要寫入Flash的數(shù)據(jù)先寫入該ROM元件中，然后在每次寫操作中將ROM中的數(shù)據(jù)按地址順序逐一寫入Flash中的一個(gè)連續(xù)32Kbit的扇區(qū)當(dāng)中，這樣編程器的一次寫操作就可以寫入32Kbit數(shù)據(jù)，因?yàn)?2K×32=1Mbit，則依次改變Flash的高5位地址，重復(fù)32次上述的寫操作，這樣1Mbit的數(shù)據(jù)就寫入了整片F(xiàn)lash中，大大提高了編程器寫操作的效率。至于ROM元件中的數(shù)據(jù)，則以ASCⅡ碼的形式存在以.

       CoeGenerator是一個(gè)元件生成軟件，它給用戶提供了一個(gè)通用化的設(shè)計(jì)界面，提供RAM、ROM、乘法器、各種標(biāo)準(zhǔn)接口等許多設(shè)計(jì)中常用的元件模型，這樣設(shè)計(jì)者不必自己動(dòng)手編寫，而采用CoeGenerator即可生成自己需要的各種元件。這些元件都是經(jīng)過(guò)了最優(yōu)化設(shè)計(jì)，占用資源最少，性能最優(yōu)，還大大節(jié)省了設(shè)計(jì)時(shí)間，方便了設(shè)計(jì)者。產(chǎn)生的ROM元件將存儲(chǔ)在設(shè)計(jì)工程之中，需要在程序中加入引用語(yǔ)句，才可以使用。 VHDL程序中使用CoreGenerator產(chǎn)生的元件需要加入兩段語(yǔ)句，一是在實(shí)體部分對(duì)要引用的ROM元件進(jìn)行說(shuō)明，二是在結(jié)構(gòu)體中對(duì)ROM元件例化，映射例化元件的輸入/輸出信號(hào)。 由于FPGA具有在線可再編程性能，因此當(dāng)系統(tǒng)中FLASH 直接由FPGA存取時(shí)，我們可以用FPGA實(shí)現(xiàn)對(duì)Flash的編程，在編程操作之后，對(duì)FPGA 進(jìn)行再配置，實(shí)現(xiàn)其它 
系統(tǒng)功能，達(dá)到一個(gè)FPGA器件實(shí)現(xiàn)多種應(yīng)用的目的。

       4 結(jié)束語(yǔ)

       使用VHDL語(yǔ)言，由FPGA來(lái)實(shí)現(xiàn)Flash編程器的功能，不僅節(jié)約了專用編程器的采購(gòu)開(kāi)支，更重要的是可以靈活、快速地實(shí)現(xiàn)專用Flash編程器的功能。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，可編程器件的容量已經(jīng)達(dá)到千萬(wàn)門級(jí)，越來(lái)越多的過(guò)去必須由專用芯片或器件才能完成的工作現(xiàn)在都可以通過(guò)設(shè)計(jì)軟件，由FPGA來(lái)實(shí)現(xiàn)了。硬件的軟件化已經(jīng)成為電子行業(yè)中不可阻擋的趨勢(shì)。