[導讀]日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲器終端電源管理要求的汲極／源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲器終端電源管理要求的汲極／源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。該簡便易用的新型穩(wěn)壓器的陶瓷輸出電容僅為 20 µF，比同類競爭解決方案的電容降低了近 80%。這樣，設計人員可利用該器件實現(xiàn)更低成本、更小型化的 DDR 存儲器終端解決方案，以滿足數(shù)字電視、機頂盒、VGA 卡、電信、數(shù)據(jù)通信、筆記本以及臺式機電腦等現(xiàn)代大容量存儲器電子產(chǎn)品以及日益豐富的消費類電子產(chǎn)品的需求。
高寬帶內(nèi)部跨導，Gm放大器與積分動態(tài)電壓定位均可支持超快瞬態(tài)響應，而且外部輸出電容極小。在負載變動幅度為 -1.5A ～+1.5A的典型應用中，輸出電壓偏移小于 25 mV。TPS51200能在2.375 V~ 3.5V的偏置電壓下工作，這使它在系統(tǒng)僅有2.5V或3.3V電軌的條件下極具競爭力。此外，在RAM暫停工作時，該器件還支持S3 睡眠狀態(tài)控制。
TPS51200 也可用作輸入電壓范圍為 1.1V～3.5 V 的通用高性能低降壓 (LDO) 穩(wěn)壓器。當啟用引腳連接至系統(tǒng)總線電壓時，該器件支持跟蹤啟動與斷電功能，這使設計人員可以輕松實施多軌系統(tǒng)電壓排序，從而簡化設計流程。
TPS51200 的推出進一步增強了 TI 豐富的 DDR 存儲器電源解決方案系列，其中包括支持TPS51100 DDR 終端穩(wěn)壓器，集成汲極／源極 LDO 的 TPS51116 DDR 電源轉(zhuǎn)換開關以及支持 DDR 終端的 TPS40042 低電壓跟蹤開關穩(wěn)壓器。TPS51200 還進一步豐富了 TI 面向存儲器技術領域已經(jīng)非常廣泛的 DDR、DDR2 與 DDR3 鎖相環(huán) (PLL) 以及 LDO 產(chǎn)品，其中包括 SN74SSQE32882，作為支持寄存式雙列直插式存儲器模塊的 PLL 集成式 DDR3 寄存器，現(xiàn)已全面投入量產(chǎn)。
采用散熱性能增強型 SON-10 PowerPAD™ 集成電路封裝的 TPS51200 產(chǎn)品現(xiàn)已批量上市，可通過 TI 及其授權分銷商訂購。
高寬帶內(nèi)部跨導，Gm放大器與積分動態(tài)電壓定位均可支持超快瞬態(tài)響應，而且外部輸出電容極小。在負載變動幅度為 -1.5A ～+1.5A的典型應用中，輸出電壓偏移小于 25 mV。TPS51200能在2.375 V~ 3.5V的偏置電壓下工作，這使它在系統(tǒng)僅有2.5V或3.3V電軌的條件下極具競爭力。此外，在RAM暫停工作時，該器件還支持S3 睡眠狀態(tài)控制。
TPS51200 也可用作輸入電壓范圍為 1.1V～3.5 V 的通用高性能低降壓 (LDO) 穩(wěn)壓器。當啟用引腳連接至系統(tǒng)總線電壓時，該器件支持跟蹤啟動與斷電功能，這使設計人員可以輕松實施多軌系統(tǒng)電壓排序，從而簡化設計流程。
TPS51200 的推出進一步增強了 TI 豐富的 DDR 存儲器電源解決方案系列，其中包括支持TPS51100 DDR 終端穩(wěn)壓器，集成汲極／源極 LDO 的 TPS51116 DDR 電源轉(zhuǎn)換開關以及支持 DDR 終端的 TPS40042 低電壓跟蹤開關穩(wěn)壓器。TPS51200 還進一步豐富了 TI 面向存儲器技術領域已經(jīng)非常廣泛的 DDR、DDR2 與 DDR3 鎖相環(huán) (PLL) 以及 LDO 產(chǎn)品，其中包括 SN74SSQE32882，作為支持寄存式雙列直插式存儲器模塊的 PLL 集成式 DDR3 寄存器，現(xiàn)已全面投入量產(chǎn)。
采用散熱性能增強型 SON-10 PowerPAD™ 集成電路封裝的 TPS51200 產(chǎn)品現(xiàn)已批量上市，可通過 TI 及其授權分銷商訂購。
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