基礎電子產品是核心基礎產業(yè)的重要組成部分，處于電子信息產業(yè)鏈的最前端。基礎電子產品的發(fā)展對于電子信息產業(yè)的技術創(chuàng)新和做大做強發(fā)揮著至關重要的作用。目前，我國基礎電子產業(yè)實力不強，結構性矛盾突出，自主創(chuàng)新能力不足，制約了我國電子信息產業(yè)整體實力的提升。進一步做大做強基礎電子產業(yè)是“十一五”期間全行業(yè)實現健康發(fā)展的根本保證。為此，必須在繼續(xù)鞏固我國在傳統(tǒng)元器件、部分電子材料和電子專用設備儀器領域優(yōu)勢的同時，堅持跟蹤與突破相結合、引進與創(chuàng)新相結合，有所為，有所不為，集中力量，重點突破量大面廣的新型元器件、新型顯示器件、關鍵電子材料和重大技術裝備，著力培育一批擁有自主知識產權和國際競爭力的優(yōu)勢企業(yè)。

　　優(yōu)先發(fā)展TFT-LCD和PDP

　　面向數字化、高清晰化、平板化需求，優(yōu)先發(fā)展TFT-LCD和PDP，促進產業(yè)鏈垂直整合與企業(yè)橫向聯合，擴大產業(yè)規(guī)模，培育自主創(chuàng)新能力；重點支持OLED、SED等新一代平板顯示器件的工藝和生產技術開發(fā)，力爭實現產業(yè)化；加快傳統(tǒng)彩管產業(yè)戰(zhàn)略轉移，積極發(fā)展高清晰度、短管頸等高端彩管產品。

　　支持建設第六代以上TFT-LCD面板生產線，加快國內關鍵配套件的開發(fā)與產業(yè)化進程，力爭在TFT-LCD用彩色濾光片、基板玻璃、偏光片、新型背光源、部分生產設備以及材料上取得突破；重點發(fā)展42英寸以上PDP顯示屏、驅動電路及模塊，掌握規(guī)模量產技術；積極組織OLED/PLED、SED器件和模塊的基礎技術研發(fā)；積極發(fā)展小尺寸手機主/副屏、PDA和MP3所用OLED顯示屏。重點發(fā)展數字高清晰度彩管及相關配套件、特種示波管。

　　元器件產業(yè)要突破關鍵技術

　　以片式化、微型化、集成化、高性能化、無害化為目標，突破關鍵技術，調整產品結構，促進產業(yè)鏈上下游互動發(fā)展，著力培育優(yōu)勢骨干企業(yè)，推動產業(yè)結構升級。重點發(fā)展以下產品：

　　(1)片式元器件。重點發(fā)展超小型片式多層陶瓷電容器，片式鋁電解電容器，片式鉭電容器，片式電感器，片式二、三極管，片式壓電陶瓷頻率器件，片式壓電石英晶體器件，集成無源元件等片式元器件。大力發(fā)展微波介質器件、聲表面波(SAW)器件、高頻壓電陶瓷器件、石英晶體器件、抗電磁干擾(EMT/EMP)濾波器等產品，滿足我國通信和視聽產品的研發(fā)和生產需求。

　　(2)印刷電路板。研發(fā)高密度互連多層印刷電路板(HDI)、多層撓性板(FPC)和剛撓印刷電路板(R-FPC)、IC封裝載板、特種印刷電路板(背板、高頻微波板、金屬基板和厚銅箔板、埋置元件板、光電印制板和納米材料的印刷電路板)等產品。

　　(3)混合集成電路。提高引進吸收再創(chuàng)新能力，重點突破通信、汽車、醫(yī)療等用途的混合集成電路，逐步替代進口，盡快實現產業(yè)起步。

　　(4)傳感器及敏感元器件。重點發(fā)展高精度和高可靠性汽車傳感器，環(huán)境安全檢測傳感器，新型電壓敏、熱敏、氣敏等敏感元器件，光纖傳感器，MEMS傳感器等。

　　(5)綠色電池。繼續(xù)支持發(fā)展大容量、高可靠性鋰離子電池和聚合物鋰離子電池；重點開發(fā)再生能源體系用低成本高效率太陽能電池(含薄膜太陽能電池)；積極開發(fā)鎳氫動力電池與鋰離子動力電池。

　　(6)新型電力電子器件。重點發(fā)展縱向雙擴散型場效應管VDMOS，絕緣柵雙極型晶體管IGBT，靜電感應晶體管系列SIT、BSIT、SITH，柵控晶閘管MCT，巨型雙極晶體管GTR等半導體電力電子器件。

　　(7)新型機電組件。重點研發(fā)無刷智能微特電機；小型化、高密度、高頻化、抗干擾多功能新型接插件等產品。

　　(8)光通信器件。重點發(fā)展高速光收/發(fā)模塊、光電耦合器、光有源器件、光電交換器件以及光無源器件和MEMS光開關等器件。

　　(9)高亮度發(fā)光二極管。重點研發(fā)四元系高亮度紅、橙、黃發(fā)光二極管，藍色、綠色、紫色、近紫外GaN、SiC發(fā)光二極管，構建較為完整的LED產業(yè)鏈。

　　產用結合發(fā)展電子材料產業(yè)

　　加強國際合作，推動產用結合，突破部分關鍵技術，縮小電子材料與國外先進水平的差距。重點發(fā)展技術含量高、市場前景好的電子信息材料，提高國內自主配套能力。注重環(huán)保型電子材料的開發(fā)。

　　(1)半導體材料。大力發(fā)展半導體級和太陽能級多晶硅材料；實現8-12英寸硅單晶及外延片的產業(yè)化；積極發(fā)展6英寸及以上SiGe、4～6英寸GaAs和InP等化合物半導體材料。重點支持面向國內6英寸及以上集成電路生產線所用的248nm及以下光刻膠、引線框架、金絲、超凈高純試劑以及8英寸及以上濺射靶材等材料。

　　(2)新型顯示器件材料。積極發(fā)展TFT-LCD液晶材料、大尺寸基板玻璃、彩色濾光片、偏光板和背光模組等TFT-LCD材料；重點發(fā)展熒光粉、電極材料、介質材料、障壁材料等PDP關鍵材料；主要發(fā)展有機發(fā)光材料、隔離柱材料、Cr/ITO基板玻璃等OLED材料。

　　(3)光電子材料。以高亮度發(fā)光材料為突破口，著重發(fā)展GaN、SiC等晶體及外延材料等。重點發(fā)展高功率激光晶體等材料。

　　(4)磁性材料。重點發(fā)展粘結NdFeB永磁材料、納米復合永磁材料、低溫共燒材料和納米軟磁材料、巨磁致伸縮材料、磁致冷材料、電磁屏蔽材料、磁記錄材料、高檔永磁軟磁鐵氧體材料等市場前景好的材料。

　　(5)電子功能陶瓷材料。重點研發(fā)和生產高性能高可靠片式電容器陶瓷材料、低溫共燒陶瓷(LTCC)材料及封裝陶瓷材料等。積極開展無鉛、無鎘等瓷料研究和生產，并開展納米基瓷料研究和生產。

　　(6)電子封裝材料。重點發(fā)展先進封裝模塑料(EMC)、先進的封裝復合材料、高精度引線框架材料、高性能聚合物封裝材料、高密度多層基板材料等材料。

　　電子專用設備要加大國際合作

　　加大國際合作，加強共性基礎技術研究，突破部分關鍵技術，縮小電子專用設備和儀器、工模具與國外先進水平的差距。以數字電視和新一代移動通信等產業(yè)發(fā)展為契機，推動產品工藝與設備儀器開發(fā)相結合，促進產用結合。加強政策引導，加大政府投入，大力發(fā)展集成電路、平板顯示器件等重大技術裝備，鼓勵開發(fā)量大面廣的新型元器件生產設備、表面貼裝和支持無鉛工藝整機裝聯設備，加大高性能測試儀器的研發(fā)力度。

　　(1)半導體和集成電路專用設備。重點發(fā)展8-12英寸集成電路關鍵生產設備，包括光刻設備、刻蝕設備、CMP設備、薄膜生長設備、摻雜設備等芯片制造設備，鍵合設備、劃片機等封裝設備和專用模具以及材料制備設備。積極跟蹤化合物半導體技術，加快化合物半導體(GaAs、InP、GaN、SiC)制造設備的研發(fā)和產業(yè)化。

　　(2)新型顯示器件專用設備。從TFT-LCD后工序設備入手，重點在TFT-LCD移載設備、清洗設備、摩擦線設備、COG設備和TFT薄膜沉積設備等方面形成配套能力；積極開展6代面板生產線陣列等前道工藝設備的研究開發(fā)，重點提高濕/干法刻蝕機、液晶灌注機等研制水平。加強高亮度LED關鍵制造設備、PDP關鍵設備和OLED生產設備和測試儀器的開發(fā)生產。

　　(3)整機裝聯和新型電子元器件專用設備。重點突破全自動精密貼片機、大尺寸全自動精密印刷機、全自動插裝機、自動光學檢測設備(AOI)以及適應無鉛工藝的貼裝設備(如無鉛焊機等)等關鍵設備的研制。

　　(4)電子測量儀器。重點發(fā)展高速數?；旌闲盘柤呻娐窚y試系統(tǒng)、邊界掃描測試系統(tǒng)、SoC測試系統(tǒng)和新型顯示器件參數測量儀器、新型電子元器件參數測試儀器、印制電路板各類測試儀器、大功率器件測試儀器、片式元器件生產線在線測試儀器系列等。重點開發(fā)綜合測試儀、網絡系統(tǒng)測試設備、路測儀等新一代移動通信測量儀器和測試系統(tǒng)以及光通信測試儀器。以音視頻產品由模擬向數字技術過渡為契機，重點發(fā)展數字電視研究開發(fā)、生產用的調試測試設備儀器。積極發(fā)展高性能通用測試儀器。