回顧2008年，全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨到嚴(yán)重供過于求與產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的問題，上半年時8寸廠陸續(xù)投入非DRAM商品，加速8寸廠轉(zhuǎn)型并全力轉(zhuǎn)進(jìn)12寸廠降低DRAM顆粒成本，并宣示明年導(dǎo)入50納米的走向不變，此時DRAM業(yè)界仍普遍相信景氣回春有機(jī)會于下半年浮現(xiàn)。

可惜下半年的金融風(fēng)暴將DRAM產(chǎn)業(yè)推入冰河時期，不光DDR2 1Gb eTT顆粒價格曾下跌至0.58美元歷史新低，現(xiàn)金的凈流出更無異于讓DRAM廠再次雪上加霜，營運(yùn)上出現(xiàn)危機(jī)，產(chǎn)業(yè)的減產(chǎn)與整并才陸續(xù)在近期正式展開，希望藉由此機(jī)會讓市場回歸正常機(jī)制。

以下是集邦科技(DRAMeXchange)所整理的2008年DRAM產(chǎn)業(yè)大事紀(jì)：

1. DRAM價格大跌，業(yè)者大幅虧損

根據(jù)集邦科技數(shù)據(jù)顯示，DRAM顆粒價格2008年下滑近75%，全球前三季DRAM產(chǎn)業(yè)合計虧損逾80億美元；DRAM 667Mhz 1Gb顆粒價格從高點時的2.29美元下滑至最低0.58美元，下滑了近75%，不僅跌破廠商現(xiàn)金成本1美元(不計折舊成本)，甚至逼近了后端封測價格0.6~0.7美元，讓DRAM廠出現(xiàn)營運(yùn)危機(jī)，全球前三季DRAM產(chǎn)業(yè)合計虧損已逾80億美元。

2. 南亞科舍奇夢達(dá)，美光正式入主華亞科取得一半產(chǎn)能

3月3日南亞科(Nanya)正式與美光(Micron)結(jié)盟，宣布共同開發(fā)50nm以下的新制品，意味奇夢達(dá)(Qimonda)與華亞科(Inotera memories)關(guān)系也將產(chǎn)生變化，同年10月12日美光正式宣布取得奇夢達(dá)在華亞科的35.6%的股份，總值約4億美元，以美光技術(shù)為首的陣營正式成立。

3. 堆棧式技術(shù)領(lǐng)天下，溝槽式技術(shù)式微

2006年溝槽式技術(shù)陣營的市占率曾經(jīng)高達(dá)23%，隨著技術(shù)開發(fā)遇到瓶頸，落后堆棧式技術(shù)半年至一年的時間，至2008年時市占率已下滑至8%，表示堆棧式技術(shù)已有92%的市占率，同年奇夢達(dá)亦宣布Buried Wordline技術(shù)，正式宣布溝槽式技術(shù)將步入歷史。

4. 產(chǎn)能供過于求，減產(chǎn)效應(yīng)啟動

自力晶(Powerchip)九月率先宣布減產(chǎn)之后，爾必達(dá)(Elpida)、茂德(ProMos)、南科與華亞科陸續(xù)跟進(jìn)后，全球DRAM廠合計減產(chǎn)近20%。臺系DRAM廠商最為積極，減產(chǎn)幅度達(dá)29%居各區(qū)域之冠，減產(chǎn)不光可以保留現(xiàn)金渡過產(chǎn)業(yè)寒冬，更有助于加速消化市場現(xiàn)有庫存，降低庫存水位讓價格回歸市場正常機(jī)制。

5. 臺美日大聯(lián)盟、聯(lián)合抗韓

三星(Samsung)于2008年喊出位成長率100%后，挾帶著全球DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭之位，莫不希望有其它DRAM廠可以退出市場，為求生存，臺系廠和美光，爾必達(dá)等技術(shù)母廠更緊密的合作，進(jìn)而形成以美光與爾必達(dá)為首的二大聯(lián)盟，聯(lián)合抗韓。

6. 政府紓困DRAM產(chǎn)業(yè)

DRAM產(chǎn)業(yè)已由企業(yè)間的競爭漸轉(zhuǎn)為國與國的戰(zhàn)爭，德國奇夢達(dá)已經(jīng)獲得州政府(Saxony)、銀行與母公司(Infineon)的奧援達(dá)4.55億美元，韓國海力士亦獲得債權(quán)銀行近5.5億美元金援，臺灣政府方面也準(zhǔn)備國發(fā)基金千億紓困臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)。