Micron量產(chǎn)34nm NAND閃存芯片

時(shí)間：2009-07-02 11:37:23

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[導(dǎo)讀] Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術(shù)的NAND閃存芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。 Micron和其伙伴Intel近期宣布通過合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在

Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術(shù)的NAND閃存芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。

Micron和其伙伴Intel近期宣布通過合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術(shù)做準(zhǔn)備，計(jì)劃于第四季度推出樣品。

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[嵌入式硬件]

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[通信先鋒]

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據(jù)統(tǒng)計(jì)，隨著Intel閃存業(yè)務(wù)被SK海力士收購，韓國(guó)企業(yè)三星+SK海力士合計(jì)占市場(chǎng)份額已經(jīng)超過50%。

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[產(chǎn)業(yè)新聞]

SK海力士成功研發(fā)全球最高層238層４D NAND閃存

新聞概要公司全球首發(fā)238層 512Gb TLC 4D NAND閃存，將于明年上半年投入量產(chǎn) 成功研發(fā)層數(shù)最高，面積最小的NAND閃存，并顯著改善生產(chǎn)效率、數(shù)據(jù)傳輸速度、功耗等特性 "公司將持...

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[美通社全球TMT]

SK海力士成功研發(fā)全球最高層238層4D NAND閃存

（全球TMT2022年8月3日訊）SK海力士于8月3日宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。SK海力士向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存...

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[Swissbit ]

Swissbit 發(fā)布 S-55 和 S-58 系列，擴(kuò)展 SD 存儲(chǔ)卡產(chǎn)品線

推出全新的工業(yè)級(jí) 3D-TLC SDHC 和 SDXC 存儲(chǔ)卡產(chǎn)品線

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[廠商文章]

KIOXIA鎧俠慶祝NAND閃存發(fā)明35周年

顛覆性技術(shù)的深遠(yuǎn)影響從根本上改變了人們的生活、工作和娛樂方式

關(guān)鍵字： KIOXIA鎧俠 NAND閃存半導(dǎo)體

[長(zhǎng)江存儲(chǔ)]

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存芯片，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

2022年4月19日，中國(guó)武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/V...

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[長(zhǎng)江存儲(chǔ)]

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布致態(tài)TiPlus5000，解鎖PCIe 3.0峰值性能 2022-04-08 10:48

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