韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士今日表示，該公司成功研發(fā)出全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層512Gb TLC(Triple Level Cell)4D閃存芯片(NAND)樣品，該芯片將于明年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，SK海力士當(dāng)天...

愛(ài)思開(kāi)海力士·英特爾DMTM半導(dǎo)體(大連)有限公司非易失性存儲(chǔ)器項(xiàng)目在大連金普新區(qū)舉行開(kāi)工儀式。該項(xiàng)目將建設(shè)一座新的晶圓工廠(chǎng)，從事非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商SK海力士已在中國(guó)市場(chǎng)深...

據(jù)統(tǒng)計(jì)，隨著Intel閃存業(yè)務(wù)被SK海力士收購(gòu)，韓國(guó)企業(yè)三星+SK海力士合計(jì)占市場(chǎng)份額已經(jīng)超過(guò)50%。

新聞概要 公司全球首發(fā)238層 512Gb TLC 4D NAND閃存，將于明年上半年投入量產(chǎn) 成功研發(fā)層數(shù)最高，面積最小的NAND閃存，并顯著改善生產(chǎn)效率、數(shù)據(jù)傳輸速度、功耗等特性 "公司將持...

（全球TMT2022年8月3日訊）SK海力士于8月3日宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。SK海力士向客戶(hù)發(fā)送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存...

推出全新的工業(yè)級(jí) 3D-TLC SDHC 和 SDXC 存儲(chǔ)卡產(chǎn)品線(xiàn)

顛覆性技術(shù)的深遠(yuǎn)影響從根本上改變了人們的生活、工作和娛樂(lè)方式

2022年4月19日，中國(guó)武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/V...

2022年4月8日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出新款消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000。該產(chǎn)品采用基于晶棧 2.0(Xtacking? 2.0)架構(gòu)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代三維閃存芯片，支持PCIe Gen3x4接口、NVMe 1.3協(xié)...

據(jù)韓媒thelec報(bào)道，華為方面計(jì)劃采購(gòu)NAND閃存晶圓，自行完成測(cè)試封裝工序，已為此籌建相關(guān)設(shè)施，或?qū)⒂谙掳肽觊_(kāi)始量產(chǎn)。