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三星電子計(jì)劃2010年將DRAM市占率提升至45%

時(shí)間：2009-11-23 12:49:20

關(guān)鍵字： DRAM 三星電子 NANDFLASH 存儲(chǔ)器芯片

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[導(dǎo)讀]據(jù)KoreaTimes報(bào)導(dǎo)，全球最大存儲(chǔ)器制造商三星電子(SamsungElectronics)計(jì)劃于2010年將全球DRAM市場(chǎng)市占率提升至45%。三星高層透露，三星看好存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的未來(lái)展望，計(jì)劃于2010年將全球DRAM市占率提升至45%，同

據(jù)KoreaTimes報(bào)導(dǎo)，全球最大存儲(chǔ)器制造商三星電子(SamsungElectronics)計(jì)劃于2010年將全球DRAM市場(chǎng)市占率提升至45%。

三星高層透露，三星看好存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的未來(lái)展望，計(jì)劃于2010年將全球DRAM市占率提升至45%，同時(shí)，這項(xiàng)策略代表三星將從2009年預(yù)期的36%市占率，提升9個(gè)百分點(diǎn)。

三星發(fā)言人KinChoon-gon不愿證實(shí)這項(xiàng)消息，表示此訊息相當(dāng)敏感，僅透露三星預(yù)期2010年在DRAM市場(chǎng)市占率將些微增加數(shù)個(gè)百分點(diǎn)。

此外，三星高層表示，受惠于智能型手機(jī)銷(xiāo)售增加，三星也計(jì)劃2010年將于NANDFlash市場(chǎng)的市占率由2009年預(yù)期的40%提升至45%。

三星于DRAM和NANDFlash市場(chǎng)皆為領(lǐng)導(dǎo)廠商，根據(jù)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange資料，至2009年第3季為止，三星在DRAM市場(chǎng)市占率為31。1%，NANDFlash市場(chǎng)則為38。5%；此外，三星2010年的目標(biāo)透露三星對(duì)存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)的積極態(tài)度。

三星投資關(guān)系(InvestorRelationsteam)負(fù)責(zé)人RobertYi表示，2009年三星投資于存儲(chǔ)器芯片的金額約為4兆韓元(約35億美元)，而2010年投資金額至少將增加至5。5兆韓元。

此外，三星芯片部門(mén)負(fù)責(zé)人KwonOh-hyun表示，2010年全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)將成長(zhǎng)16%，同時(shí)，KwonOh-hyun預(yù)期2010年市場(chǎng)將供不應(yīng)求，存儲(chǔ)器價(jià)格將持續(xù)止跌回升。

投資機(jī)構(gòu)WooriInvestment分析師ParkYoung-joo表示，三星有可能達(dá)成調(diào)升的目標(biāo)，三星先進(jìn)的技術(shù)和低成本優(yōu)勢(shì)將幫助三星增加市占率，此外，三星的芯片部門(mén)為帶動(dòng)三星凈利提升的主要?jiǎng)恿Α?/FONT>

三星日前表示計(jì)劃于2012年增加半導(dǎo)體營(yíng)收至255億美元，較2009年的預(yù)期營(yíng)收166億美元成長(zhǎng)超過(guò)50%。

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