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美國FormFactor已將該公司300mm晶圓檢查用MEMS探針卡應(yīng)用于NAND型閃存。由于存在裝置成本和交貨期等問題,迄今一直難以應(yīng)用于閃存,而主要用于DRAM檢查。
此次,該公司新開發(fā)出了適用于32nm以后微細(xì)工藝多值產(chǎn)品的MEMS探針卡。NAND型閃存的數(shù)據(jù)識別采用電荷量,讀取電荷量作為單元晶體管閾值電壓的變化。隨著NAND型閃存微細(xì)化,電荷量減少,并且8~16值等多值產(chǎn)品中進(jìn)行區(qū)別的電荷量的空白減小。在檢查這種小空白(Margin)時,探測時的接觸電阻存在誤差,難以進(jìn)行準(zhǔn)確測量。而使用該公司此次研制的MEMS探針時,接觸電阻誤差要比現(xiàn)有探針小。基于金屬懸臂梁的MEMS探針,其尖端接觸焊點時,會將布線上焊點(Al)上的絕緣膜(Al2O3)向水平方向拉動。這樣便可在保持低接觸電阻的前提下進(jìn)行穩(wěn)定探測。為減小檢查時的空白,降低了作為不良處理的合格品的比例。
鑒于以上特性,MEMS探針可以說從原理上適用于微細(xì)多值閃存,但客戶對成本和交貨期的要求卻越來越嚴(yán)格。該公司此次開發(fā)的產(chǎn)品是設(shè)計與DRAM使用的MEMS探針卡大不相同的閃存專用品。降低了探針本身的成本,同時降低了客戶的投資成本,能夠支持引腳少的測試器。另外,為縮短交貨期,與該公司的客戶之間制定了探針芯片等的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)。因此,在量產(chǎn)大容量產(chǎn)品和微細(xì)產(chǎn)品時,該公司便可重新利用上代使用的探針的設(shè)計資產(chǎn)。
該產(chǎn)品采用了根據(jù)溫度變化補(bǔ)償探針彎曲的結(jié)構(gòu)。因此,能夠?qū)崿F(xiàn)在晶圓內(nèi)的任何位置都穩(wěn)定的接觸。此次推出的MEMS探針是該公司與一家存儲器廠商率先開發(fā)的,已應(yīng)用于量產(chǎn)線。
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